第四讲半导体光电检测器件 第一节光敏电阻 第二节光电池 第三节光敏二极管
第四讲 半导体光电检测器件 第一节 光敏电阻 第二节 光电池 第三节 光敏二极管
第一节光敏电阻 原理及结构 特性参数 特点 ■典型电路
第一节 光敏电阻 ◼ 原理及结构 ◼ 特性参数 ◼ 特点 ◼ 典型电路
原理及结构 ■1、原理 光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典 型的利用光电导效应制成的光电探测器件 ■对于本征型,可用来检测可见光和近红外 辐射 ■对于非本征型可以检测波长很长的辐射
一、原理及结构 ◼ 1、原理： ◼ 光敏电阻阻值对光照特别敏感，是一种典 型的利用光电导效应制成的光电探测器件。 ◼ 对于本征型，可用来检测可见光和近红外 辐射 ◼ 对于非本征型可以检测波长很长的辐射
■2、结构: 组成:它由一块涂在绝缘 基底上的光电导材料薄膜 引线 和两端接有两个引线,封 装在带有窗口的金属或塑国 导电材料 绝绿衬底 料外壳内。电极和光电导 体之间呈欧姆接触。 电每球
◼ 2、结构： ◼ 组成：它由一块涂在绝缘 基底上的光电导材料薄膜 和两端接有两个引线，封 装在带有窗口的金属或塑 料外壳内 。电极和光电导 体之间呈欧姆接触
■三种形式 ■(1)梳状式 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成;或在 玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在 槽内填入黄金或等导电物质,在表面再 敷上一层光敏材料。如图所示 光电导体膜 N 绝缘基底
◼ 三种形式 ◼ ⑴梳状式 ◼ 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成；或在 玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽，在 槽内填入黄金或石墨等导电物质，在表面再 敷上一层光敏材料。如图所示。 绝缘基底 光电导体膜
■(2)刻线式 ■在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻 划成栅状槽,然后在槽内填入光敏电阻材料 层后制成。其结构如下图所示。 sMMNNNNNN NN SA 注意:与梳状式的区别
◼ ⑵刻线式 ◼ 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔，将其刻 划成栅状槽，然后在槽内填入光敏电阻材料 层后制成。其结构如下图所示。 注意：与梳状式的区别
(3)涂膜式 ■在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。 其结构如右下图所示。 2、光敏电阻在电路中的符号
◼ ⑶涂膜式 ◼ 在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。 其结构如右下图所示。 ◼ 2、光敏电阻在电路中的符号 Rp
特性参数 1、光电流及增益 无光照时流过器件的电流称暗电流,由入射光 引起的称光电流 U
二、特性参数 ◼ 1、光电流及增益 无光照时流过器件的电流称暗电流，由入射光 引起的称光电流。 L U
增益可理解为:样品中每产生一个光生载流 子所构成的流入外电路的载流子数。 若G>1,即单位时间流过器件的电荷数大于器 件内光激发的电荷,从而使电流得到放大
增益可理解为：样品中每产生一个光生载流 子所构成的流入外电路的载流子数。 若G>1, 即单位时间流过器件的电荷数大于器 件内光激发的电荷，从而使电流得到放大
■增益系数:光电流与入射光引起的单位时 间电荷量的比值。 G=(TU,+Tun L2
◼ 增益系数：光电流与入射光引起的单位时 间电荷量的比值。 e I G p = L U 2 ( ) L U G n n p p = +
