第八讲光电耦合器件和 成像器件(1) 光电耦合器件 成像器件概述 光电成像原理与电视制式 真空摄像管
第八讲 光电耦合器件和 成像器件(1) 光电耦合器件 成像器件概述 光电成像原理与电视制式 真空摄像管
光电耦合器件 光隔离器、光耦合器 封装(LED十光敏器件) 电一光一电器件 耦合有线性变化关系十电隔离性能
◼ 光电耦合器件 光隔离器、光耦合器 封装(LED+光敏器件) 电-光-电器件 耦合有线性变化关系+电隔离性能
■传输特性:电流传输比 定义:器件集电极电流与LED注入电流之比 交流电流传输比:以微小变量定义的传输比 光激发效率 电流传输比随发光电流的变化:有一最大值 电流传输比随温度的变化:有一最大值
◼ 传输特性:电流传输比 定义:器件集电极电流与LED注入电流之比 交流电流传输比:以微小变量定义的传输比 光激发效率 电流传输比随发光电流的变化:有一最大值 电流传输比随温度的变化:有一最大值
■输出一输入间绝缘耐压 与ⅠD和光敏三极管距离有关 输出一输入间绝缘电阻 值大 ■输出一输入间的寄生电容 不大,为几个皮发
◼ 输出-输入间绝缘耐压 与LED和光敏三极管距离有关 ◼ 输出-输入间绝缘电阻 值大 ◼ 输出-输入间的寄生电容 不大,为几个皮发
■最高工作频率 最高(截止)频率 ■脉冲上升时间和下降时间 脉冲前沿的0-0.9之间的时间间隔称为上升 时间;脉冲下降沿中介入101的时间间隔为 脉冲下降时间
◼ 最高工作频率 最高(截止)频率 ◼ 脉冲上升时间和下降时间 脉冲前沿的0-0.9之间的时间间隔称为上升 时间;脉冲下降沿中介入1-0.1的时间间隔为 脉冲下降时间
抗干扰性 原因:输入电阻很低,干扰源的电阻大 形成微弱的电流 不会受外界光的千扰 寄生电容小,绝缘电阻大
◼ 抗干扰性 原因:输入电阻很低,干扰源的电阻大 形成微弱的电流 不会受外界光的干扰 寄生电容小,绝缘电阻大