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中国计量大学(中国计量学院):《光电技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第八讲 光电耦合器件和成像器件(1)

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光电耦合器件 一、光隔离器、光耦合器 二、封装(LED+光敏器件) 三、电一光一电器件 四、耦合有线性变化关系+电隔离性能
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第八讲光电耦合器件和 成像器件(1) 光电耦合器件 成像器件概述 光电成像原理与电视制式 真空摄像管

第八讲 光电耦合器件和 成像器件(1) 光电耦合器件 成像器件概述 光电成像原理与电视制式 真空摄像管

光电耦合器件 光隔离器、光耦合器 封装(LED十光敏器件) 电一光一电器件 耦合有线性变化关系十电隔离性能

◼ 光电耦合器件 光隔离器、光耦合器 封装(LED+光敏器件) 电-光-电器件 耦合有线性变化关系+电隔离性能

■特点 电隔离 信号单向传输 抗干扰和噪声 响应速度快 使用方便 发展很快

◼ 特点 电隔离 信号单向传输 抗干扰和噪声 响应速度快 使用方便 发展很快

特性参数 输入特性一LED的特性 输出特性一光敏器件 传输特性 抗干扰特性

◼ 特性参数 输入特性-LED的特性 输出特性-光敏器件 传输特性 抗干扰特性

■传输特性:电流传输比 定义:器件集电极电流与LED注入电流之比 交流电流传输比:以微小变量定义的传输比 光激发效率 电流传输比随发光电流的变化:有一最大值 电流传输比随温度的变化:有一最大值

◼ 传输特性:电流传输比 定义:器件集电极电流与LED注入电流之比 交流电流传输比:以微小变量定义的传输比 光激发效率 电流传输比随发光电流的变化:有一最大值 电流传输比随温度的变化:有一最大值

■输出一输入间绝缘耐压 与ⅠD和光敏三极管距离有关 输出一输入间绝缘电阻 值大 ■输出一输入间的寄生电容 不大,为几个皮发

◼ 输出-输入间绝缘耐压 与LED和光敏三极管距离有关 ◼ 输出-输入间绝缘电阻 值大 ◼ 输出-输入间的寄生电容 不大,为几个皮发

■最高工作频率 最高(截止)频率 ■脉冲上升时间和下降时间 脉冲前沿的0-0.9之间的时间间隔称为上升 时间;脉冲下降沿中介入101的时间间隔为 脉冲下降时间

◼ 最高工作频率 最高(截止)频率 ◼ 脉冲上升时间和下降时间 脉冲前沿的0-0.9之间的时间间隔称为上升 时间;脉冲下降沿中介入1-0.1的时间间隔为 脉冲下降时间

抗干扰性 原因:输入电阻很低,干扰源的电阻大 形成微弱的电流 不会受外界光的千扰 寄生电容小,绝缘电阻大

◼ 抗干扰性 原因:输入电阻很低,干扰源的电阻大 形成微弱的电流 不会受外界光的干扰 寄生电容小,绝缘电阻大

应用特点 耦合频率范围广,失真小 克服泄放干扰和触点抖动 完成匹配 提高信噪比 提高可靠性 作为开关器件 使保护电路简单可靠

◼ 应用特点 耦合频率范围广,失真小 克服泄放干扰和触点抖动 完成匹配 提高信噪比 提高可靠性 作为开关器件 使保护电路简单可靠

光电成像器件概述 ■1934光电像管 ■1947超正析像管 ■1954视像管 ■1965氧化铅管 ■19%76硒靶管和硅靶管 ■1970CCD

光电成像器件概述 ◼ 1934 光电像管 ◼ 1947 超正析像管 ◼ 1954 视像管 ◼ 1965 氧化铅管 ◼ 1976 硒靶管和硅靶管 ◼ 1970 CCD

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