基于实际的工程参数建立了高压直流干扰电场计算模型，利用数值模拟计算技术对高压直流干扰大幅值管地电位的产生原因进行探究。考察接地极与管道之间的间距、管道防腐层类型、管道长度及土壤结构等因素对高压直流干扰下管地电位的影响规律，得到高压直流干扰大幅值管地电位是在接地极与管道距离较近、防腐层的绝缘性能较高、管道长度较大及上低下高的土壤电阻率分层结构共同作用下产生的

9.1配合物的组成和命名 一、配合物的定义 凡含有配离子的化合物称为配位化合物,简称配合物。 二、配合物的组成 配合物由内界和外界两部分组成。在配合物内,提供电子对的分子或离子成为称为配位体;接受电子对的离子或电子称为配位中心离子;中心离子与配位体结合构成内界;配合物中的其他离子,构成配合物的外界

1、生产过程与工艺过程 2、工艺过程的组成 3、生产类型 4、工艺规程的作用与形式 5、工艺规程的制订 第一节 基本概念 第二节 零件的结构 工艺性分析 第三节 机床夹具与 工件定位 1、工件的装夹 2、机床夹具的组成与分类 3、工件的定位 1、加工余量的确定 2、工序尺寸与公差的确定 1、尺寸链的定义及特点 2、尺寸链的组成 3、尺寸链的计算 4、尺寸链的应用 第四节 定位基准的选择 1、基准的概念及分类 第五节 工艺路线的制订 2、定位基准的选择 第六节 加工余量与工序 尺寸的确定 第七节 工艺尺寸链 第八节 典型零件加工 工艺过程 轴/套筒/箱体类零件的加工过程

运用循环伏安曲线、稳态极化曲线和Tafel曲线等电化学手段以及X射线光电能谱（XPS）法研究了辉铜矿在有菌和无菌体系下氧化过程的电化学行为.研究结果验证了辉铜矿在有菌体系和无菌体系下的两步氧化溶解机理，第一步氧化反应为辉铜矿不断氧化生成缺铜的中间产物CuxS（1≤x<2），直至生成CuS，在较低电位下即可进行；第二步反应为中间产物CuS的氧化，需要在较高电位下才可进行，反应速率较慢，是整个氧化反应的限制性步骤.循环伏安实验显示有菌体系电流密度明显大于无菌体系，表明细菌加快了辉铜矿的氧化速率.稳态极化实验显示辉铜矿点蚀电位较低，无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系，表明辉铜矿氧化过程生成的中间产物硫膜具有钝化效应，细菌可以通过自身氧化作用破坏硫膜，减弱辉铜矿表面的钝化效果，加快辉铜矿的氧化溶解速率.X射线光电子能谱分析显示电极表面钝化层物质组成复杂，包含了CuS、多硫化物（Sn2-）、（S0）和含（SO42-）的氧化中间产物等多种物质，其中主要的钝化物为CuS，表明辉铜矿的氧化遵循多硫化物途径

人教A版高中数学必修2第二章 点、直线、平面之间的位置关系2.1 空间点、直线、平面之间的位置关系课件(4)

为探索多火次等温锻造对新型粉末高温合金晶粒细化的影响, 本文对实验合金进行了每火次变形量40%左右的三火次等温锻造, 采用商用有限元软件DEFORM 2D模拟锻造过程中的等效应变分布图, 采用电子背散射衍射技术对各火次后的锻坯进行显微组织观察和分析.研究表明: 等温锻造过程中, 锻坯轴向剖面大致分为三个区域, 位于上、下两端面附近的Ⅰ区变形量最小, 位于两侧附近的Ⅱ区次之, 位于剖面中心的Ⅲ区变形程度最大.经过三火次等温锻造后, 锻坯Ⅱ、Ⅲ区再结晶充分, 获得等轴细晶组织, 平均晶粒尺寸2~3 μm.然而Ⅰ区形成再结晶不完全的\项链\组织, 在变形晶粒周围分布大量细小的再结晶晶粒, 变形晶粒内小角度晶界含量较多, 位错密度较高.通过对三火次后的锻坯进行合适的热处理, Ⅰ区\项链\组织得到细化, Ⅱ、Ⅲ区组织发生晶粒长大, 整个盘坯为较均匀的细晶组织, 平均晶粒尺寸为6~8 μm

1.调查单位与填报单位,是两种根本不同的单位。(X) 2.调查单位和填报单位在任何情况下都不可能一致。(X)

三、静定桁架的位移计算 位移计算公式:△=ΣFNC FNPI/EA(6-4-2) 例6-4-2求图示桁架D点的竖向位移ΔDv和CD杆

1.物理学中称电场力将单位正电荷从电场中某点移至无穷远处所 做的功为电场在该点处的电位。一个带电量+q的点电 荷产生的电场对距离r处的单位正电荷的电场力为 F=kq(k为常数),求距电场中心x处的电位

6.1 络合物的价键理论 6.1.1 价键理论 6.1.2 价键理论的成功和局限性 6.2 晶体场理论 6.2.1 正八面体配位场的势能函数 6.2.2 在正八面体配位场中 d 轨道的能级分裂 6.2.3 正四面体场中 d 轨道的能级分裂 6.2.4 高自旋态和低自旋态 6.2.5 晶体场稳定化能(CFSE) 6.2.6 络合物的畸变和姜-泰勒(Jahn-Teller)效应 6.3 络合物的分子轨道理论 6.3.1 配位体群轨道 6.3.2 络合物的分子轨道 6.3.3 络合物中的 π 键