一、了解微机串行通信的基本概念 二、了解RS-232C.RS485以及USB等几种串行接口标准及其用法 三、掌握16550芯片的接口技术及程序设计

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

7.3 80C51中的中断结构 7.2 最简单且的中断情况 7.1 引 言 7.4 中断处理中需要考虑的一些问题

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

6.1 数据通信基础 6.1.1 数据通信系统 6.1.2 数据传输编码 6.1.3 通信同步技术 6.1.4 常用传输介质 6.2 通信网络技术 6.2.1 网络拓扑结构 6.2.2 网络控制方法 6.2.3 差错控制技术 6.3 网络体系结构 6.4 串行通信总线 6.4.1 RS-232C通信总线 6.4.2 RS-422/485通信总线

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、填空题(每空1分,共20分) 1.智能控制是一门新兴的 学科,它具有非常广泛的应用领域,例如 和 2.传统控制包括 和 3.一个理想的智能控制系统应具备的性能 是 等

一、一元函数积分的概念、性质与基本定理 1、原函数、不定积分 在区间上,如F(x)=f(x),称f(x)为F(x)的导函数,称 F(x)为f(x)的原函数,原函数与导函数是一种互逆关系。 如F(x)为f(x)的一个原函数,则F(x)+C为f(x)的全体原 函数