前面我们介绍的内容都属于系统的描述与分析。系统的描述主要解决系统的建模、各种数学模型(时域、频域、内部、外部描述)之间的相互转换等;系统的分析,则主要研究 系统的定量变化规律(如状态方程的解,即系统的运动分析等)和定性行为(如能控性、能观测性、稳定性等)

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

1.绪论 1.1判断下列化合物是否为极性分子? (1)HBr(2)I2 (3)(4)()CH3OH(6)CH3-O-CH3 答:(1),(4),(5),(6)为极性分子;(2),(3)为非极性分子。 1.2写出下列化合物的简单电子结构式

1、实验目的 2、电势补偿的原理 3、电势差计的设计原理及调整 5、表头的改装设计 6、自组表的校准 4、表头内阻的测量 7、误差分析

1、了解DAC、ADC的分类及主要参数; 2、掌握集成D/A转换器芯片DAC0832的应用 3、掌握集成A/D转换器芯片ADC0809的应用  第1、2学时：A/D转换集成芯片及其应用  第3、4学时：D/A转换集成芯片及其应用

静电的基础常识 1.静电∶ Electrostatic;静电就是相对静止不动的电荷 2.ESD: Electro Static Discharge;ESD就是静电放电 3.放电的产生 任何两个物体的接触和分离、物体的摩擦·即使是同一个物体·由于表面状态(如表面污染丶腐蝕和粗糙度不冋)在发生接触和分离时也会表面产生静电

采用电解相分析方法, 结合X射线衍射分析和电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等对高铝铁素体基体中的析出相颗粒粉末和电解液进行定性定量分析. 试验结果表明, 试验钢中固态析出相主要为NbC以及少量的Al2O3和AlN夹杂. 通过扫描电镜观察不同再加热温度下NbC分布状态, 发现随着固溶温度的升高, 铸态组织中存在的NbC析出逐渐回溶, 数量随之减少且发生明显的粗化行为. 当温度升高到1100℃, 大部分NbC已经回溶到高温铁素体基体中. 在利用Thermo-Calc热力学计算软件分析Nb及其碳化物的热力学性质基础上, 计算得到Al与Nb的相互作用系数, 表明Al能够降低Nb在铁素体基体中的活度, 提高其在基体中的固溶度, 进一步得到了NbC在高铝铁素体钢中的固溶度积公式, 发展了高温铁素体中的Nb微合金化理论, 为进一步的应用提供了理论基础

以酸处理红辉沸石为原料,采用水热反应晶化合成工艺,合成出了质量较高的4A沸石产品。在大量实验基础上,利用X射线衍射分析、扫描电镜观察等系统地研究了反应过程。在整个反应过程中,酸处理红辉沸石和铝酸钠不断溶解,固相的SiO2和Al2O3不断转化为液相的SiO2和Al2O3。这表明,A型沸石的形成是以液相各组分浓度的过饱和为动力,以液相为传质的,因此为液相转化机理

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

1 三中心两电子键：采用三个原子共用一对电子的方式成键，称为三中心两电子键。 2 化学键：将分子中的原子结合在一起的作用力称为化学键。 3 共价键：两个或多个原子通过共用电子对而产生的一种化学键称为共价键