7.1 集成运放应用基础 7.2 运算电路 7.3 有源滤波电路 7.4 电压比较器

6.1 零点漂移 6.2 差动放大电路 6.3 电流源电路 6.4 集成运算放大器介绍 6.5 集成运放的性能指标

正弦量的相量表示法 电路定理的相量形式 电路元件的相量形式 阻抗和导纳 正弦交流电路的相量分析法 正弦交流电路的功率 复功率 最大功率传输定理

3.1 频率特性的一般概念 3.2 三极管的频率参数 3.3 共e极放大电路的频率特性 3.4 多级放大电路的频率特性

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

The Bipolar Junction Transistor The term Bipolar is because two type of charges (electrons and holes) are involved in the flow of electricity The term Junction is because there are two pn Junctions There are two configurations for this device n-type p-type n-type

6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管