光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性

1.4 .1 BJT的工作原理 1. 4 . 2 BJT的静态特性曲线 1. 4. 3 BJT的主要参数 1. 4. 3 BJT的小信号模型

1.1.1 固体的分类 1.1.2 晶体的宏观特性

1、存储器概述 外部特性,性能参数,层次结构 2、静态存储器和动态存储器存储单元构成 位存储单元及存储阵列,多端口SRAM,读写时序 3、半导体ROM存储器 MROM, PROM, EProM, EEPROM, FLASH 4、存储器芯片构成以及存储器主要技术指标 5、存储器扩展技术

第一章现代电源技术概述 1-1电源技术的现状与发展 1-1-1功率半导体技术的现状与发展 1-1-2电源技术的新进展 1-2电源的构成及特点 1-2-1现代电源的构成原理及特点 1-2-2开关电源的分类 1-2-3开关电源常用的拓扑结构 1-2-4电源主要参数分析 第二章电源中的电力电子器件与基础电路 2-1电力电子器件 2-2基础电路 2-2-1EMI滤波电路 2-2-2整流与滤波电路 2-2-3功率变换电路 2-2-4控制与驱动电路 2-2-5保护电路

第一节光敏电阻 第二节光电池 第三节光敏二极管

一、重要概念 二、BIOS(basic input/output system,基本输入 输出系统) 三、引导或自举(BOOT) 四、时钟(Clock) 五、CMOS(互补氧化物半导体) 六、CPU(central processing unit,中央处理单元

2.4二极管基本电路及其分析方法 2.4.1二极管V-特性的建模 2.4.2应用举例 讲课思路: 1、二极管电路的分析概述 2、二极管状态判断 3、图解分析法 4、等效电路(模型)分析法 5、应用电路分析举例

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

一、电导的物理现象 二、金属的导电性 三、半导体的电学性能 四、材料的介电性 五、材料的超导性