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3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析
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1. BJT小信号模型是在什么条件下建立的?受控源是何种类型的? 2. 若用万用表的“欧姆”档测量b、e两极之间的电阻,是否为rbe?
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3.6.1 共集电极电路 3.6.2 共基极电路
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3.7.1单时间常数RC电路的频率响应 RC低通电路的频率响应 RC高通电路的频率响应 3.7.2单极放大电路的高频响应标(主要是增 3.7.3单极放大电路的低频响应益)随信号频
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1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定
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1.为什么要研究频率响应 2. 频率响应的分析任务 3. AV随 f 变化的原因
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5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器
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( 1)电化法 (2)光学法 (3)电气法:半导体式和接触燃烧式
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14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
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一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
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