1.CPU（微处理器） 2.数据存储器（RAM） 片内为128个字节（52子系列的为256个字节） 3.程序存储器（ROM/EPROM）

一、 了解半导体存储器的结构、特点和功能 二、 RAM、ROM的应用

一、变量的作用域与生存期 二、变量的存储类别 三、内部函数、外部函数的使用与工程文件 四、程序中变量的作用范围 五、能够分析程序中静态变量的值

7.1 概述 7.2 函数的定义与调用 7.3 数组作函数参数 7.4 函数的嵌套调用和递归调用 7.5 局部变量和全局变量及其作用域 7.6 变量的存储类别及变量的生存期 7.7 函数的存储分类 7.8 编译预处理 7.9 多文件程序的调试方法

存储元:一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料

三级存储器结构： 一、高速缓冲存储器 二、主存储器 三、外存储器

6.1 存储器 6.1.1 ROM (Read-Only Memory) 6.1.2 随机存取存储器 (RAM) 6.2 可编程逻辑器件（PLD) 6.2.1 可编程阵列逻辑(PAL) 6.2.2 通用阵列逻辑(GAL) 6.2.3 PLD的开发过程 6.3 VHDL语言 6.3.1 VHDL基本结构与语法 6.3.1.1 VHDL的组成 6.3.1.2 实体（Entity) 6.3.1.3 结构体 (Architecture) 6.3.1.4 程序包 (Package) 与 USE 语句 6.3.1.5 库 (Library) 6.3.1.6 VHDL运算符 6.3.1.7 数据对象 6.3.1.8 VHDL常用语句 6.3.1.9 元件及元件例化 6.3.1.10 配置 (configuration) 6.3.1.11 子程序 6.3.1.12 其他：属性、时钟的表示 6.3.1.13 VHDL的模板 6.3.1.14 常见错误 6.3.1.15 保留字

一、数据结构的重要性 二、基本术语 三、数据结构的概念 四、数据的逻辑结构 五、数据的存储结构 六、数据的运算 七、数据的逻辑结构、存储结构及运算的关系 八、算法的描述

（1）写入 在磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并使磁层移动，在磁层上形成连续的小段磁化区域（位单元）

1.六管单元 （1）组成T1、T3：MOS反相器