中国绅学我术大学 University of Science and Technology of China 第五章半导体存储电路 本章目录 >5.1概述 >5.2SR锁存器 >5.3触发器 >5.4寄存器 >5.5存储器 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.1概述 © 1存储电路 •存储单元：只能存储一位数据的电路： •寄存器：存储一组数据的存储电路； •存储器：存储大量数据的存储电路。 2存储单元分类 一静态存储单元 由门电路连接而成，包括各种结构的锁存器和触发器， 利用正反馈原理存储数据。 动态存储单元 利用电容的电荷存储效应存储数据。 2017-9-3 第五章半导体存储电路 2
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 1 第五章 半导体存储电路 第五章 半导体存储电路 本章目录 ¾5.1 概述 ¾5.2 SR锁存器 ¾5.3 触发器 ¾5.4 寄存器 ¾5.5 存储器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 2 §5.1 概述 •存储单元：只能存储一位数据的电路； •寄存器：存储一组数据的存储电路； •存储器：存储大量数据的存储电路。 2 存储单元分类 ——静态存储单元 由门电路连接而成，包括各种结构的锁存器和触发器， 利用正反馈原理存储数据。 ——动态存储单元 利用电容的电荷存储效应存储数据。 1 存储电路
§5.2SR锁存器 一、电路结构与工作原理 1电路结构 G vu- Rp G2 G2 Rp U12 (a) (b) (c) 定义：S,为置位端或置1输入端，R,为复位端或置0输入端； Q=1,Q'=0为锁存器的“1”状态， Q=0,Q'=1为锁存器的“0”状态 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.2SR锁存器 2工作原理 G Rp (1)SD=1,RD=0;Q=1,2'=0 S,=1信号消失以后，电路保持1状态不变。 (2)SD=0,RD=1;Q=0,2=1 Sp R,=1信号消失以后，电路保持0状态不变。 Sp 000 0 (3)SD=RD=0;电路维持原来的状态不变。 00 0 (4)S=Rn=1;Q=2'=0 10 S和R,信号同时消失以后，电路状态无法确定。 0 0 0 正常工作时的约束条件：SDRD=0 2017-9-3 第五章半导体存储电路
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 3 §5.2 SR锁存器 一、电路结构与工作原理 1 电路结构 为锁存器的“ ”状态 为锁存器的“ ”状态， 定义： 为置位端或置 输入端， 为复位端或置 输入端； 0, 1 0 1, 0 1 1 0 = ′ = = ′ = Q Q Q Q SD RD 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 4 §5.2 SR锁存器 2 工作原理 （1）SD＝1，RD＝0; Q=1 , Q'=0 SD＝1信号消失以后，电路保持1状态不变。 （2）SD＝0，RD＝1; Q=0 , Q'=1 RD＝1信号消失以后，电路保持0状态不变。 （3）SD＝RD＝0; 电路维持原来的状态不变。 （4）SD＝RD＝1; Q=Q'=0 SD和RD信号同时消失以后，电路状态无法确定。 正常工作时的约束条件：SDRD=0 0 0 1 1 1 1 1 0① 1 1 0 0① 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 SD RD Q Q*
§5.2SR锁存器 3用与非门构成SR锁存器 Sp Rp Q O* 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 正常工作时的约束条件：SDRD=0 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.2SR锁存器 二、动作特点 输入信号在全部作用时间里，都能直接改变输出端的状态。 例5.2.1已知 SB 由与非门构 成的SR锁存 Sp 器输入端的 波形，试画 出输出端Q和 Q'的波形 (a) 2017-9-3 第五章半导体存储电路
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 5 §5.2 SR锁存器 3 用与非门构成 SR 锁存器 1 1 1 1 0 0 1 1① 0 0 0 1① 1 0 1 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 S R Q Q* D D ′ ′ 正常工作时的约束条件：SDRD=0 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 6 二、动作特点 输入信号在全部作用时间里，都能直接改变输出端的状态。 例5.2.1 已知 由与非门构 成的SR锁存 器输入端的 波形，试画 出输出端Q和 Q′ 的波形 0 §5.2 SR锁存器
§5.3 触发器 1触发器： 能够存储1位二值信号的基本单元电路。 2触发器的特点： (1)具有两个能自行保持的稳定状态，用来表示逻辑状态的0和1， 或二进制数的0和1； (2)根据不同的输入信号可以置1或0。 3分类： 按触发方式：电平触发、边沿触发和脉冲触发 按逻辑功能：S触发器、JK触发器、D触发器、T触发器 按存储数据的原理：静态触发器和动态触发器 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.3 触发器 5.3.1电平触发的触发器 一、电路结构与工作原理 CLK S R Q O* 0 XX 0 0 0XX 1■ 1 10 0 0 0 CLK CLK- CI 10 0 1 1 R 1R 11 0 0 1 0 1 (a) (b) 1 0 1 0 0 0 0 输入控制电路+SR锁存器 1 只有触发信号CLK到达，S和R才起作用 2017-9-3 第五章半导体存储电路 8
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 7 能够存储1位二值信号的基本单元电路。 (2)根据不同的输入信号可以置1或0。 3 分类： 2 触发器的特点： 1 触发器： (1)具有两个能自行保持的稳定状态，用来表示逻辑状态的0和1, 或二进制数的0和1 ; 按触发方式：电平触发、边沿触发和脉冲触发 按逻辑功能：SR触发器、JK触发器、D触发器、T触发器 按存储数据的原理：静态触发器和动态触发器 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 8 一、电路结构与工作原理 0 X X 0 0 0 X X 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1① 1 1 0 1① 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 CLK S R Q Q* 只有触发信号 到达， 和 才起作用 输入控制电路 锁存器 CLK S R + SR §5.3 触发器 5.3.1 电平触发的触发器
§5.3 触发器 ■带异步置位、复位端的电平触发SR触发器 So Sp S 1S LK CLK- R R (a) (b) 二、电平触发方式的动作特点 (1)当CLK为有效电平时，触发器才能接受信号； (2)在CLK=1的全部时间里，S和R状态的变化都可能引起输出 状态的改变。 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.3 触发器 例5.3.1已知 CLK 电平触发SR 触发器的 CLK和输入 信号如图所 示，试画出2 CLK 和Q'端的波 形。设触发 器的初始状 态Q=0。 (a) 2017-9-3 第五章半导体存储电路 10
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 9 带异步置位、复位端的电平触发SR触发器 二、电平触发方式的动作特点 (1)当CLK为有效电平时，触发器才能接受信号； (2)在CLK=1的全部时间里，S和R状态的变化都可能引起输出 状态的改变。 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 10 例5.3.1 已知 电平触发SR 触发器的 CLK和输入 信号如图所 示，试画出Q 和 Q′ 端的波 形 。设触发 器的初始状 态Q ＝0 。 0 §5.3 触发器
§5.3 触发器 ■电平触发的D触发器 CLK CK- ■CMOS传输门结构的电平触发的D触发器 CLK D Q O* 0 X 0 0 0 X 1 1 1 0 0 0 TG, 1 0 1 0 CLK 1 1 0 1 1 1 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.3 触发器 例5.3.2若电平触发D触发器CLK和输入信号如图所示，试画出 Q和Q'端的波形。设触发器的初始状态Q=0。 CLK 0 D TG: CLK 2017-9-3 第五章半导体存储电路 12
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 11 电平触发的 D 触发器 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 X 1 1 0 X 0 0 CLK D Q Q* CMOS传输门结构的电平触发的 D 触发器 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 12 例5.3.2 若电平触发D触发器CLK和输入信号如图所示，试画出 Q和 Q′ 端的波形。设触发器的初始状态Q ＝0 。 0 §5.3 触发器
§5.3 触发器 5.3.2边沿触发的触发器 为了提高触发器的可靠性，增强抗干扰能力，希望触发器的 次态仅取决于CLK的下隆沿（或上升沿）到达时刻的输入信 号状态，与在此之前、之后的输入状态没有关系。 ●用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器 ●维持阻塞触发器 ●利用门电路传输延迟时间的边沿触发器 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.3 触发器 一、电路结构和工作原理 1用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器 FF, FF2 0 1D 1D ID CLK. CLK2 CLK- >C1 CLK (a) 2017-9-3 第五章半导体存储电路 14
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 13 为了提高触发器的可靠性，增强抗干扰能力，希望触发器的 次态仅取决于CLK的下降沿（或上升沿）到达时刻的输入信 号状态，与在此之前、之后的输入状态没有关系。 z用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器 z维持阻塞触发器 z利用门电路传输延迟时间的边沿触发器 §5.3 触发器 5.3.2 边沿触发的触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 14 1 用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器 一、电路结构和工作原理 Q1 1 Q1 2 §5.3 触发器
§5.3 触发器 ●实际的CMOS边沿触发D触发器 (3)特性表 FF FF, 2' CLK D O O* D TG Q X CLK 7G2 G 0 0 G TG. (1)CLK=0时， TG通，TG,断→9，=D,9随着D而变化 TG,断，TG,通→Q保持，反馈通路接通，自锁 (2)CLK个后， TG,断，TG,通→Q保持CLK个前瞬间D的状态 TG,通，TG,断→Q=Q,反馈不通 2017-9-3 第五章半导体存储电路 15 §5.3 触发器 ●带有异步置位、复位端的CMOS边沿触发D触发器 Sp G G SD- D 1D CLK- c1 Rp- R CLK- R 2017-9-3 第五章半导体存储电路 16
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 15 ⎩ ⎨ ⎧ → → = = 断， 通 保持 反馈通路接通，自锁 通， 断 随着 而变化 时， , , (1) 0 3 4 1 2 1 1 TG TG Q TG TG Q D Q D CLK ⎩ ⎨ ⎧ → = → ↑ ↑ 通， 断 反馈不通 断， 通 保持 前瞬间 的状态 后， , (2) 3 4 1 1 2 1 TG TG Q Q TG TG Q CLK D CLK (3)特性表 ↑ 1 X 1 ↑ 0 X 0 X X X Q CLK D Q Q* z实际的CMOS边沿触发D触发器 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 16 z带有异步置位、复位端的CMOS边沿触发D触发器 §5.3 触发器
§5.3 触发器 二、动作特点 触发器的次态仅取决于时钟信号的上升沿（也称为正边沿） 或下降沿（也称为负边沿)到达时输入的状态，而与此前、后的 输入状态无关。 例5.3.3在图示边沿触发器中， CLK 已知D端和CLK的电压波形， 试画出Q端的波形。设触发器 的初始状态Q=0。 D CLK 2017-9-3 第五章半导体存储电路 §5.3 触发器 19 5.3.3脉冲触发的触发器 一、电路结构与工作原理 1主从SR触发器 1S CLK- R IR 9 G G CLK 0 CLK' Go 主触发器 从触发器 工作原理： (1)在CLK=1时，主触发器根据S、R翻转，从触发器保持； (2)在CLK由1→0，主触发器保持，从触发器随主触发器的状态 翻转，在每个CLK周期，触发器的输出状态只可能改变一次 2017-9-3 第五章半导体存储电路 18
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 17 二、动作特点 触发器的次态仅取决于时钟信号的上升沿（也称为正边沿） 或下降沿（也称为负边沿）到达时输入的状态，而与此前、后的 输入状态无关。 例5.3.3 在图示边沿触发器中， 已知D端和CLK的电压波形， 试画出Q端的波形 。设触发器 的初始状态Q ＝0 。 0 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 18 一、电路结构与工作原理 1 主从SR触发器 工作原理: (1)在CLK＝1时，主触发器根据S、R翻转，从触发器保持； (2)在CLK由1 →0，主触发器保持，从触发器随主触发器的状态 翻转，在每个CLK周期，触发器的输出状态只可能改变一次 §5.3 触发器 5.3.3 脉冲触发的触发器
§5.3 触发器 主从SR触发器的特性表 CLK S R 2 O* X X X X 2 几 0 0 0 0 几 0 0 1 1 几 1 0 0 几 1 0 1 1 0 0 0 几 0 1 0 10 注：主从SR触发器在CLK=1期间，主触发器的输出仍会随 输入的变化而多次改变，且输入信号仍需遵守SR=0 2017-9-3 第五章半导体存储电路 19 §5.3 触发器 CLK 例5.3.4若主从SR触发器CLK和 2 45☐6 输入信号如图所示，试画出Q和 Q'端的波形。设触发器的初始 状态2=0。 G G CLK Go 主触发器 从触发器 2017-9-3 第五章半导体存储电路 20
2017-9-3 第五章 半导体存储电路 19 1 1 0 1① 1 1 1 1① 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 X X X X Q 主从SR触发器的特性表 CLK S R Q Q* 注：主从SR触发器在CLK＝1期间，主触发器的输出仍会随 输入的变化而多次改变，且输入信号仍需遵守SR＝0 §5.3 触发器 2017-9-3 第五章 半导体存储电路 20 例5.3.4 若主从SR触发器CLK和 输入信号如图所示，试画出Q和 Q′ 端的波形。设触发器的初始 状态Q ＝0 。 0 §5.3 触发器
