5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

1、实验准备及常规仪器设备使用以及电子线路仿真实验——ORCAD软件 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放和音频功放 4、心电信号放大器 5、综合实验或晶体管输出特性曲线测试电路(可选) 大部分实验包括： 必做实验、选作和提高实验、开放实验、自拟题目实验、团队小组题目实验（综合实验）

• 第四节 混频器 • 第五节 滤波器 • 第六节 放大器 • 第七节 频率源

 CMOS简单OTA  CMOS密勒OTA  CMOS对称OTA  CMOS折叠共源共栅OTA  其他运放

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

1、实验准备及常规仪器设备使用（1周） 2、运放基本应用电路（2周） 3、测量放大器（3周） 4、脉冲电路实验（2周） 6、综合实验（6周）

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择

理想集成运放具有以下主要特征 （1）输入失调电压VIO，及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零 （2）输入偏置电流IIB，失调电流IIO及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零