3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的主要性能指标

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

正弦波发生电路能产生正弦波输出，它是在 放大电路的基础上加上正反馈而形成的，它是各 类波形发生器和信号源的核心电路。正弦波发生 电路也称为正弦波振荡电路或正弦波振荡器

§-1 冲激函数 §-2 冲激函数的性质 §-3 电容电压和电感电流的跃变 §-4 冲激响应 §-5 由阶跃响应求冲激响应 §-6 线性非时变电路对任意输入的响应

§9-1 基本概念 §9-2 电阻的平均功率 §9-3 电感、电容的功率 §9-4 单口网络的平均功率 §9-5 单口网络的无功功率 §9-6 复功率和复功率守恒 §9-7 正弦稳态最大功率传输定理

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 场效应管放大电路 第五章 三极管及放大电路基础 第七章 模拟集成电路 第八章 反馈放大电路 第十章 信号处理与产生电路

§6-1 分解方法在动态电路分析中运用 §6-2 零输入响应 §6-3 零状态响应 §6-4 线性动态电路的叠加定理 §6-5 三要素法 §6-6 阶跃函数和阶跃响应 § 6-7 一阶电路子区间分析

4.1基本概念 4.2 长度尺寸的测量 4.3 形位误差的测量 4.4 纳米测量技术

二、原子能级的量子数 主量子数n:表示电子离核的远近程度或电子层数,是决 定电子能量的主要参数。n=1,2,.,用K,L,M.表示; 角量子数l:表示电子的亚层能级,描述电子轨道。l=0,1,2, n-1,用s,p,d,f表示; 磁量子数m:决定电子轨道在空间的方向,m=±1,2,…,± ,共(2+1)个,表示口并度; 自旋量子数m:取+1/2和-1/2,分别表示二种自旋方向

1.1电子系统与信号 1.2放大电路的基不知织