9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

6–1 反馈的基本概念及基本方程 6–2 负反馈对放大器性能的影响 6–3 反馈放大器的分类及对输入、输出阻抗的影响 6–4 反馈放大器的分析和近似计算 6–5 反馈放大器稳定性讨论 6—6 运算放大器的小信号闭环带宽、压摆率及功率带宽

7 – 1 集成运算放大器在基本运算中的应用 7 – 2 有源RC及开关电容滤波器 7 – 3 集成运算放大器精密二极管电路 7 – 4 电压比较器及弛张振荡器 7 – 5 模拟开关 7 – 6 集成运算放大器选择指南

4–1 集成运算放大器的特点 4–2 电流源电路 4–3 差动放大电路 4–4 集成运算放大器的输出级电路 4–5 集成运放电路举例 4–6 MOS集成运算放大器 4–7 集成运算放大器的主要性能指标

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

段码显示驱动模式 同时点亮七段显示器的七节LED，将需电流： 10mA×7＝70mA 若同时点亮6个七段显示器，则总电流高达： 70mA×6＝420mA≈0.5A

随着微型化程度不断提高,元件和布线技术也取得巨大发展,例如BGA外壳封装的高集 成度的微型IC,以及导体之间的绝缘间距缩小到0.5mm,这些仅是其中的两个例子。电子元 件的布线设计方式,对以后制作流程中的测试能否很好进行,影响越来越大。下面介绍几种 重要规则及实用提示