4.4.1振幅调制电路 地位:无线电发射机的重要组成部分分类(按功率高低):高电平调制电路,低电平调制电路两大类。 功能: (1)高电平调制电路:置于发射机的末端,要求产生功率足够大的已调信号。 (2)低电平调制电路:置于发射机的前端,产生小功率的已调信号,而后通过多级线性功率放大器放大到所需的发射功率

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器

一、直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、CEQ。 二、对于图2―16所示共射极放大器，其直流通路重画于图2―20(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程：

4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

1．电位器控制 这是分压式信号衰减器。音量电位器控制的优点是电路简单，成本低廉，采 用优质电位器，完全可以保证其使用寿命。但是，因音频信号通过音量电位器， 所以会带来插入损耗和信号干扰，在使用日久后，电位器内的碳膜电阻会出现过 度磨损，表面积有碳粉或灰尘，轻者会使调音量时扬声器发出”喀喀”噪声，重 者会造成在电位器某个音量位置时，音量失控

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

倍频器（Frequency Doubler）是一种输出信号 频率等于输入信号频率整数倍的变换电路。 晶体管倍频器有两种主要形式： 另一种是利用晶体管的结电容随电压变化的非线性 来获得倍频，这是半导体器件所特有的性质，可叫做 参量倍频器。在此只对丙类倍频器进行研究。 一种是利用丙类放大器电流脉冲中的谐波来获得 倍频，叫做丙类倍频器；

L562是工作频率可达30MHz的多功能单片集成锁相环路，它的内部除包含鉴相器和压控振荡器之外，还有三个放大器和一个限幅器，其内部组成如图6.5.1（a）所示，外引脚排列如图6.5.1(b)所示

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

1.1PN结及二极管 1.2半导体三极管 1.3半导体场效应管 1.4场集成运算放大器