1．1 实验目的 （1）加深理解二极管、晶体三极管饱和导通和截止的条件。 （2）熟记二极管、三极管门电路构成的方法

2.1半导体的基本知识 2.2PN结的形成及特性 2.3半导体二极管 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5特殊二极管

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

§3-1 半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3 半导体二极管 §3-4 二极管基本电路及分析方法 §3-5 特殊二极管

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

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