5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析

2.2.1 BJT参数的温度特性 2.2.1.1 β的温度特性 2.2.1.2 ICBO的温度特性

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

2.4.1 差放的偏置、输入和输出信号及连接方式 2.4.2 基本共射差放理想对称时的大信号特性与非线性失真

• 运放的带宽极限 • 偏置电路的设计 • 版图设计

•放大器的构成（基本知识） •放大器的直流通路、交流通路、微变等效电路（掌握） •放大器的静态分析（目的、方法、意义）（掌握） •放大器的动态分析（目的、方法）（掌握） •放大器的偏置电路（结构、作用）（理解） •多级放大器（耦合方式构成、特点）

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算

理想集成运放具有以下主要特征 （1）输入失调电压VIO，及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零 （2）输入偏置电流IIB，失调电流IIO及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零

一. 集成电路的摩尔定律——电荷行为 二. 神奇的磁性及其应用——自旋和电荷行为 三. 巨磁电阻效应——可爱活泼的自旋行为 四. 交换偏置效应——再次显示自旋的伟大 五. 锰氧化物庞磁电阻——自旋的又一非凡表现 六. 纳米尺度下自旋行为的调控——看我是多么配合 七. 目前存在的问题——未来世界属于你们

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态