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5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析
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2.2.1 BJT参数的温度特性 2.2.1.1 β的温度特性 2.2.1.2 ICBO的温度特性
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2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联
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2.4.1 差放的偏置、输入和输出信号及连接方式 2.4.2 基本共射差放理想对称时的大信号特性与非线性失真
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• 运放的带宽极限 • 偏置电路的设计 • 版图设计
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•放大器的构成(基本知识) •放大器的直流通路、交流通路、微变等效电路(掌握) •放大器的静态分析(目的、方法、意义)(掌握) •放大器的动态分析(目的、方法)(掌握) •放大器的偏置电路(结构、作用)(理解) •多级放大器(耦合方式构成、特点)
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由晶体管的伏安特性曲线可知, 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时,其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态,即放大、截止和饱 和。在实际应用中,根据实现的功能不 同,可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此,在晶体管应用电路分 析中,一个首要问题,便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算
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理想集成运放具有以下主要特征 (1)输入失调电压VIO,及其温漂,时漂, 随电源电压漂移均为零 (2)输入偏置电流IIB,失调电流IIO及其温漂,时漂, 随电源电压漂移均为零
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一. 集成电路的摩尔定律——电荷行为 二. 神奇的磁性及其应用——自旋和电荷行为 三. 巨磁电阻效应——可爱活泼的自旋行为 四. 交换偏置效应——再次显示自旋的伟大 五. 锰氧化物庞磁电阻——自旋的又一非凡表现 六. 纳米尺度下自旋行为的调控——看我是多么配合 七. 目前存在的问题——未来世界属于你们
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一、填空题(每小题 1 分,共 10 分) 1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路,将 IEQ 增大,rbe将___________。 3.集成功放 LM386,共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态
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