◆8.1 三相电源 ◆8.2 三相负载的星形连接 ◆8.3 三相负载的三角形连接 ◆8.4 三相电路的功率 ◆8.5 应用—二表法测量三相功率

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

重点： 1.掌握放线菌的重要特征。 2.掌握放线菌属和诺卡菌属的生物学特性、所致疾病特点、微生物学检查及防治原则。 难点： 放线菌的形态结构特征及在微生物分类中的地位。 第一节 放线菌属（Actinomyces） 第二节 诺卡菌属（Nocardia) ◼ 广泛分布于土壤，不属于人体的正常菌群，引起外源性感染 ◼ 对人致病的主要有星形诺卡菌和巴西诺卡菌

1. 三相电路的星形和三角形联接方式 2. 对称三相电路中相电压与线电压、相电流与线电流的关系 3. 对称三相电路的计算和三相电路的功率

2.2 电路的等效变换 2. 5 理想电压源和理想电流源的串并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2. 4 电阻的星形联接与三角形联接的等效变换 (Y—变换) 2.7 输入电阻 2.1 引言 2.3 电阻的串联和并联

第一节 三相交流电源 第二节 负载星形联接的三相电路 第三节 负载三角形联接的三相电路 第五节 三相电路的功率

1. 电阻和电源的串、并联 2. 电源的等效变换 3. 输入电阻的计算 2.2 电路的等效变换 2. 5 理想电压源和理想电流源的串并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2. 4 电阻的星形联接与三角形联接的等效变换(Y—△变换) 2.7 输入电阻 2.1 引言 2.3 电阻的串联和并联

一、三相电压 二、 负载星形联结的三相电路 三、负载三角形形联 四、结的三相电路 五、三相功率

1 有一三相对称负载，其每相的电阻 R=8，感抗 XL=6。如果将负载联成星形接于线电压 Ul=380V 的三相电源上，试求相电压、想电流及线电流

一、例题精解 【例题4.1】有一三相电路如图4.1所示,负载为星形联接,电源为三角形联接,ARLB图4.1例题4.1的图 已知R=12Q2,X1=9Q2,U1=380V。试求: (1)负载的相电流 (2)电源的相电流; (3)负载消耗的总功率;