一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

第一讲 概述 第二讲 电力电子器件（一） 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件－电力二极管 2.3 半控型器件－晶闸管 第三讲 电力电子器件（二） 半控型器件－晶闸管 第四讲 电力电子器件（三） 3.0 概述 3.1 门极可关断晶闸管 3.2 电力晶体管 3.3 电力场效应晶体管 3.4 绝缘栅双极晶体管 第五讲 电力电子器件（四） 第五讲 整流与有源逆变(一) 第六讲 整流与有源逆变(二) 路 第七讲 整流与有源逆变(三) 7.1 变压器漏感对整流电路的影响 7.2 电容滤波的不可控整流电路 7.3 大功率可控整流电路 第八讲 整流与有源逆变(四) 8.1 整流电路的有源逆变工作状态 8.2 晶闸管直流电动机系统 第九讲 整流与有源逆变(五) 整流电路的谐波和功率因数 9.1 谐波和无功功率分析基础 9.2 带阻感负载时可控整流电路交流侧谐 波和功率因数分析 9.3 电容滤波的不可控整流电路交流侧谐 波和功率因数分析 9.4 整流输出电压和电流的谐波分析 第十讲 整流与有源逆变(六) 相控电路的驱动控制 10.1 同步信号为锯齿波的触发电路 10.2 集成触发器 10.3 触发电路的定相 第十一讲 直流斩波电路分析 第十一讲 直流斩波电路分析 11.1 基本斩波电路 11.1.1 降压斩波电路 11.1.2 升压斩波电路 11.1.3 升降压斩波电路和Cuk斩波电路 11.1.4 Sepic斩波电路和Zeta斩波电路 11.2 复合斩波电路和多相多重斩波电路 11.2.1 电流可逆斩波电路 11.2.2 桥式可逆斩波电路 11.2.3多相多重斩波电路 第十二讲. 交流电力控制电路和交交变频电路 第十三讲 无源逆变第十四讲 PWM控制技术 第十七讲 软开关技术 17.0 概述 17.1 软开关的基本概念 17.2 软开关电路的分类 17.3 典型的软开关电路

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路

1.7.4 宽频带放大器 1.7.5 微波放大器的CAD技术

一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖

微处理器—集成计算机中央处理器（ C P U）的所有组件在一个硅芯片上—诞生于1 9 7 1 年。它的产生有一个很好的开端：第一个微处理器是 Intel 4004，其中有2 3 0 0个晶体管。今天， 差不多3 0年过去了，为家用计算机所制造的微处理器中将近有 10 000 000个晶体管。 微处理器实际的作用基本上保持不变

一、场效应晶体管 二、场效应管放大电路

3.1 概述 3.2 晶体管的高频小信号等效电路 3.3 晶体管高频小信号谐振放大器 3.4 小信号谐振放大器的稳定性 3.7 放大电路噪声及低噪声放大器