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新疆大学：《电子技术基础》课程作业习题（模拟电子）模拟集成电路

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6.4.1 MOSFET开关特性与开关等效电路 6.4.2 CMOS开关电路 6.4.3 CMOS四通道模拟开关

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6.0 概述 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路-Differential Amplifier 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 集成电路运算放大器的主要参数 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大电路中的噪声与干扰

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与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很多,而功耗却低很多

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6.1.1 MOS电流源 6.1.2 MOS单级放大器

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6.2.1 简单的CMOS集成运放 6.2.2 单片集成微功耗CMOS运放

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半导体的概念：导电能力处于导体和绝缘体之间的材料；原子之间的共价键很弱

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一、MOS管及其开关特性下面主要以NMOS增强型为例介绍其开关特性

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《电子技术基础》课程教学资源（模拟电子技术）PPT课件讲稿：第九章集成逻辑门电路第一节 TTL数字集成电路

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本节讨论结型场效应管JFET和金属－氧化物－半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET