64MOS模拟开关 641 MOSFET开关特性与开关等效电路 D pd SW D, D C G + G D K十 UGs C Ron roff D2 图64,1NMOS开关电路 图642MoS管开关等效电路 R la=3/ RB so exp nGs GS(th)N
6.4 MOS模拟开关 6.4.1 MOSFET开关特性与开关等效电路 ( ) 1 n GS GS(t h)N on v V R − = = 3 exp( −1) T RB off S O V V I I
R的变化曲线: Ro(0) Rn(k∩) 1000 80d 40 30 400 200 02468101214w(V) 图64,3Rm变化曲线 (a)随vs变化;(b)随v1变化
Ron的变化曲线：
642CMOS开关电路 R 设1=Vm T2的R 0= T1的R 组合Rm 倒相器 PI 图644CMoS开关电路 图64.5不考虑衬底调制效应时CMOS 开关R与v1关系
6.4.2 CMOS开关电路
消除衬底调制效应底CMOS开关电路 T |倒相器 PI Dr T T 倒相器 PI 图64.6消除衬底调制效应的CMOS开关单元电路
消除衬底调制效应底CMOS开关电路
64.3CMOS四通道模拟开关 CD4066为例: 14 q卜1a 信号A SW A 制 sWA→ AC Sw 5J a控制L vu(yng) I SWB tor(on) 信号B M swC tes,(Du) 信号 控削B 棒剂C 信C 8 I 图64.7四双问模拟开关 (a)外引出线排列,(b)珋舷模拟
6.4.3 CMOS四通道模拟开关 CD4066为例：
T=250 RL=100k9 300 Vss=-5V R=10k0 250 R=500 RL=1000 Ic=VDD Vpp 150 10V CC4066 15V R 50 6-4-20246 0 v:(v) vr(v) (b) 图648CC4066导通特性 (a)vo与v关系曲线;(b)R随v变化曲线
