半导体电子文库下载_中国高校课件下载中心

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单电子近似的基本思想布洛赫定理金属自由电子的空晶格模型能带的一般性电子在外场中的运动金属、半导体、绝缘体能带的差别一、基本内容二、学习要点熟练掌握以下内容布洛赫定理及能带的一般性能带的起因的物理解释，能带的一般特点固体导电性与能带结构的关系

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5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

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4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

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一、半导体存储器二、存储器空间划分方法三、数据存储器(RAM) 四、程序存储器(ROM) 五、MCS-51片外总线构

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1.1 全世界半导体市场 1.2 集成电路发展史 1.3 摩尔定律(Moore’s Law) 1.4 集成电路的分类 1.5 数字集成电路设计的挑战 1.6 集成电路设计方法

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3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

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§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

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§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

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§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

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7.2.1 概念 7.2.2 影响气敏特性的因素 7.2.3 四种模式的气敏机理 1. 能级生成理论 2. 表面电荷层理论 3. 接触粒界势垒理论 4. 整体原子价控制电导理论