7.2.1 概念 7.2.2 影响气敏特性的因素 7.2.3 四种模式的气敏机理 1. 能级生成理论 2. 表面电荷层理论 3. 接触粒界势垒理论 4. 整体原子价控制电导理论

本章应重点理解PN结的单向导电性，三极管的电流控制特点；掌握半导体二极管、三极管的模型；能利用三极管的直流、交流小信号模型分析简单的三极管应用电路；深入理解放大的实质及利用三极管构成小信号放大器的一般原则；掌握三极管放大电路的三种基本组态及其特性，进而理解工程实用放大器电路组成原理及特点；理解场效应管的电压控制特点，对照三极管理解场效应管的外特性、模型及其应用

实验一 戴维南定理与诺顿定理 实验二 日光灯电路及功率因数提高方法的研究 实验三 三相交流电路 实验四 三相异步电动机正反转控制 实验五 常用电子仪器的使用 实验六 单级放大电路 实验七 门电路逻辑功能及测试 实验八 数字电子秒表 附录 常用半导体集成电路引脚图

存储器是存储信息的器件，主要用来存放二进制数据、程序和信息，是计算机等数字系统中不可缺少的组成部分。 • 6.1 概述 • 6.2 顺序存取存储器（ SAM） • 6.3 随机存取存储器（ RAM） • 6.4 只读存储器（ROM）

3.1 PCSS实验与理论研究现状 3.2 半导体材料的光吸收机理 3.3 高偏置电场下载流子分布规律的实验结论 3.4 高偏置电场下载流子散射机制 3.5 GaAs PCSS的线性物理机制 3.6 GaAs PCSS的非线性物理机制

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 场效应管放大电路 第五章 三极管及放大电路基础 第七章 模拟集成电路 第八章 反馈放大电路 第十章 信号处理与产生电路

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

内容要点： 电阻器与电容器 电容器 电感器 变压器 二极管 半导体分立器件 其他常用器件 目的与要求： 了解电阻器、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管等常用电子元器件的标示方法、主要技术参数以及检测方法 掌握变压器的工作原理 掌握二极管的原理及其伏安特性

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 三极管及放大电路基础 第五章 场效应管放大电路 第六章 模拟集成电路 第七章 反馈放大电路 第九章 信号处理与产生电路