5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

一、半导体存储器 二、存储器空间划分方法 三、数据存储器(RAM) 四、程序存储器(ROM) 五、MCS-51片外总线构

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

 6.1 概述  6.2 电导的物理现象  6.3 离子电导  6.4 电子电导  6.5 玻璃态电导  6.6 无机材料的电导  6.7 半导体陶瓷的物理效应  6.8 超导体

第一节 电导的物理现象 第二节 离子电导 第三节 电子电导 第四节 玻璃态电导 第五节 无机材料的电导 第六节 半导体陶瓷的物理效应

• 功能材料的发展概况 • 功能材料的特点 • 功能材料的分类 • 功能材料学科的内容和相关学科 • 功能材料的现状和展望 • 1.1 原子的电子排列 • 1.2 固体的能带理论与导电性 • 1.3 半导体 • 1.4 材料的超导电性 • 1.5 材料的介电性 • 1.6 材料的磁性 • 1.7 材料的光学性质

3.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 3.1.1 理想开关的开关特性 3.1.2 半导体二极管的开关特性 3.1.3 半导体三极管的开关特性 3.1.4 MOS管的开关特性 3.2 分立元器件门电路 3.2.1 二极管与门和或门 3.2.2 三极管非门（反相器） 3.3 CMOS集成门电路 3.3.1 CMOS反相器 3.3.2 CMOS与非门、或非门、与门和或门 3.3.3 CMOS与或非门和异或门 3.3.4 CMOS传输门、三态门和漏极开路门 3.4 TTL集成门电路 3.4.1 TTL反相器 3.4.2 TTL与非门、或非门、与门、 3.4.3 TTL集电极开路门和三态门 3.4.4 TTL集成电路和其他双极型集成电路