利用高产腈水解酶的菌株Rhodococcus rhodochrous tg1-A6催化3-氰基吡啶合成烟酸,实验结果表明,腈水解酶的最适底物浓度为130mmol/L,最适催化温度为55℃,最适pH值为pH7.0.经过15h连续补加底物3-氰基吡啶,反应体系中产物烟酸的浓度可达到165.2g/L.在产物浓度累积不高的情况下,菌体经过7批次(共67h)的催化,烟酸的最终质量浓度累计可达到529g/L

利用导向剂室温(15~30℃)老化后高温晶化合成低硅X型沸石(LSX),用XRD测定样品晶型.对导向剂作用的研究表明,加入老化5h的导向剂17Na2O·6SiO2·Al2O3·250H2O可抑制LSX样品中的羟基方钠石(HS)杂晶,但没有加快LSX反应体系的晶化速度.对原料配比和反应条件的研究表明,产物对H2O/(Na2O+K2O)摩尔比和Na2O/(Na2O+K2O)摩尔比非常敏感,稍有变化就会引起杂晶的生成;随着室温老化和晶化温度的升高以及时间的延长,样品LSX结晶度增大.室温(25~30℃)老化12h、110℃晶化3h合成的LSX结晶度好、纯度高,Si/Al摩尔比为1.02±0.03

以水玻璃为硅源,甲酰胺为催化剂,乙二醇为干燥控制化学添加剂(DCCA),采用溶胶-凝胶法常压下干燥制备了硅石气凝胶粉体．研究发现：微过量的甲酰胺,有利于高孔隙率气凝胶的合成；过量的乙二醇的引入不利于低密度气凝胶的形成；pH值对合成气凝胶的性质也有较大的影响．经二甲基二乙氧基硅烷(DMDEOS)表面改性处理后的气凝胶表现出了很好的疏水性能．采用傅里叶变换红外分析(FTIR)、热重分析(TG)、示差扫描量热分析(DSC)等对疏水型气凝胶的结构和性能进行了研究．

研究了基于比例、积分和微分控制分量非线性方法合成的非线性PID智能控制器.该PID控制器将比例、积分和微分控制分量分别用三角函数表示为误差信号的非线性函数,并通过三个独立的非线性函数构造合成PID控制器.通过在线调整三个独立非线性函数的权值系数,使该控制器实现不依赖于非线性对象模型的智能控制.仿真结果表明该控制器具有优异的非线性控制性能

采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体,以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740℃合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体.烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出.借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析.随ZrO2的加入量增加,断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明,采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锆钛酸铅纳米复相陶瓷

采用叠氮化钠作为固态氮化剂,同时以卤化铵作为活性稀释剂,通过对燃烧温度特征曲线和燃烧产物相组成的分析,研究了两者的协同作用对于燃烧合成氮化硅粉体的影响.研究结果表明:叠氮化钠和卤化铵的热分解可增加硅粉内部孔隙率和氮气渗透性,也能为Si-N反应提供内部氮源.叠氮化钠和卤化铵均可作为Si-N反应的催化剂,可促进硅粉向氮化硅的氮化转变.叠氮化钠联合卤化铵的使用能够有效地降低燃烧温度,使燃烧反应以低温模式进行,有利于α-Si3N4的生成.随着反应物中叠氮化钠含量的增多,燃烧产物中α相氮化硅含量也相应地有所提高

通过柠檬酸燃烧法合成了Sr2Mg1-xAlxMoO6-δ(SMAM)阳极材料.利用X射线衍射仪和扫描电镜对其结构和形貌进行表征.考察了制备条件对其结构和致密度的影响.结果表明,还原气氛不利于材料的致密化,而氧化气氛可以促进材料的致密化过程.与氧化气氛相比,还原气氛下Al离子在材料中的固溶度较大.对氧化气氛下制备的SMAM样品在低温下进行还原,可以增加Al离子的固溶量.同时,材料的电导率随着Al含量的增加而增大

在1000~1200℃温度范围内用固相反应法合成钙铁矿结构的材料Ca0.5Sr0.5COxFe1-xO3-δ,用XRD对合成的试样进行了物相分析,探讨合适的烧成制度.用直流四电极法对样品进行了电导率测量.结果显示,制得的Ca0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ样品为单相产物,具有良好的电性能,是一种有应用前景的混合导体材料

合成渣包裹铝丝脱氧是钢水脱氧工艺的一种新的尝试。它吸收了最新脱氧技术和炉外精炼技术的长处,具有较优越的脱氧性能。实验研究表明:在相同条件下,使用包裹铝丝的终氧含量比无包裹铝丝脱氧低40～300ppm,夹杂个数和平均粒径分别减少226个和1.9μm。脱硫率同时可达50%

通过共沉淀法合成铌镁酸铅-钛酸铅介电陶瓷粉末,经800℃焙烧后,X射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相;经1 000℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的96.77%,20℃介电常数可达20 940