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清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第七章 脉冲波形的产生与处理电路(7-4)门电路
文档格式:PDF 文档大小:120.8KB 文档页数:7
7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第七章 脉冲波形的产生与处理电路(7-8-3)由555定时器组成的施密特触发器
文档格式:PDF 文档大小:579.18KB 文档页数:11
1. 掌握脉冲波形基本参数及参数间的关系; 2.了解TTL与非门原理,主要特性参数; 3.掌握555定时器原理、功能及应用; 4.掌握单稳态触发器的功能、分析方法及典型电路(由555、运放等组成的);
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.3 结型场效应管
文档格式:PPT 文档大小:1.39MB 文档页数:12
5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.2 MOSFET放大电路
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:13
5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)功率放大电路 8.3 乙类双电源互补对称功率放大电路
文档格式:PPT 文档大小:543KB 文档页数:8
8.3.2 分析计算 8.3.1 电路组成 8.3.3 功率BJT的选择
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
文档格式:PPT 文档大小:2.53MB 文档页数:21
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第八章 模数转换器和数模转换器(8-2)权电流型D/A
文档格式:PDF 文档大小:172.78KB 文档页数:12
1. 分析: 2. 特点: (1)共性:开关支路电流与权成正比,电流相加 (2)不同:产生支路电流的方法不同;
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第七章 脉冲波形的产生与处理电路(7-5)单稳态触发器
文档格式:PDF 文档大小:140.43KB 文档页数:8
1.什么是单稳态触发器 触发脉冲未到来时----稳态 触发脉冲到来时 ----暂稳态----经tW----稳态 输出为幅度、宽度固定的矩形脉冲
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)二极管及其基本电路 3.4 二极管基本电路及其分析方法
文档格式:PPT 文档大小:1.16MB 文档页数:13
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)反馈放大电路 7.7 负反馈放大电路的频率响应
文档格式:PPT 文档大小:199.5KB 文档页数:4
7.7.2 增益一带宽积 7.7.1 频率响应的一般表达式
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