5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.3.1 BJT放大电路的图解分析法 5.3.2 BJT放大电路的小信号模型分析法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.4.1 温度对静态工作点的影响 5.4.2 射极偏置电路 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.7.1 共射-共基放大电路 5.7.2 共集-共集放大电路 5.7.3 共源-共基放大电路 5.8 光电三极管

3.1 正弦交流电的三要素 3.1.1 周期与频率 3.1.2 最大值与有效值 3.1.3 相位、初相与相位差 3.2 正弦量的表示方法 3 .2.1 正弦函数和波形图表示 3.2.2 相量表示法 3.3 正弦交流电路的特点与分析方法 3.4 电阻电路 3.4.1 正弦交流电路中电阻元件的电压与电流关系 3.4.2 正弦交流电路中电阻的功率 3.5 电感元件 3.6 电感电路 3.7 电容元件 3.7.1 电容元件电压与电荷的关系 3.7.2 电容元件电压与电流的关系 3.7.3 电容的电场能量 3.8 电容电路 3.9 串联电路 3.10 正弦交流电路的相量图 3.11 R、L、C元件特性实验 3.11.1 实验目的 3.11.2 预习要求 3.11.3 实验仪器及设备 3.11.4 实验内容及步骤 3.11.5 注意事项 3.12 日光灯及功率因数提高实验

10.1 滤波电路的基本概念与分类 10.2 一阶有源滤波电路 10.3 高阶有源滤波电路 10.3.1 有源低通滤波电路 10.3.2 有源高通滤波电路 10.3.3 有源带通滤波电路 10.3.4 二阶有源带阻滤波电路 *10.4 开关电容滤波器 10.5 正弦波振荡电路的振荡条件 10.6 RC正弦波振荡电路 10.7 LC正弦波振荡电路 10.7.1 LC选频放大电路 10.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 10.7.3 三点式LC振荡电路 10.7.4 石英晶体振荡电路 10.8 非正弦信号产生电路 10.8.1 电压比较器 10.8.2 方波产生电路 10.8.3 锯齿波产生电路

8.1 半导体三极管 8.1.1 三极管结构与类型 8.1.2 三极管的电流放大作用 8.1.3 三极管的输入特性与输出特性 8.1.4 三极管的主要参数 8.2 三极管放大电路的组成 8.2.1 三极管放大时的三种组态 8.2.2 放大器的组成 8.2.3 放大器的放大倍数及增益 8.3 共发射极放大电路 8.3.1 电路的构成 8.3.2 电路的静态分析 8.3.3 电路的动态分析 8.3.4 共发射极放大电路的特点与应用 8.4 共集电极放大电路 8.4.1 电路的构成 8.4.2 电路分析 8.4.3 共集电极放大电路的特点与应用 8.5 功率放大电路 8.5.1 功率放大电路的类型及特点 8.5.2 OCL功率放大电路 8.5.3 OTL功率放大电路 8.6 单管放大电路实验 8.6.1 实验目的 8.6.2 实验仪器 8.6.3 实验电路 8.6.4 实验内容 8.6.5 思考题 8.7 功率放大器实验 8.7.1 实验目的 8.7.2 实验仪器 8.7.3 实验电路 8.7.4 实验内容 8.7.5 思考题

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

1.1 电路模型 一、实际电路组成与功能 二、电路模型 1.2 电路变量 一、电流 二、电压 三、电功率 1.3 电阻元件与欧姆定律 一、电阻元件 二、欧姆定律 三、电阻元件上消耗的功率与能量 1.4 理想电源 一、理想电压源 二、理想电流源 1.5 基尔霍夫定律 一、基尔霍夫电流定律 二、基尔霍夫电压定律 1.6 电路等效 一、电路等效的一般概念 二、电阻的串联与并联等效 三、理想电源的串联与并联等效 1.7 实际电源的模型及其互换等效 一、实际电源的模型 二、电压源、电流源模型互换等效 1.8 电阻△形、Y形电路互换等效 一、△形电路等效变换为Y形电路 二、Y 形电路等效变换为△形电路 1.9 受控源及含受控源电路的等效 一、受控源 二、路含受控涣电路的等效 1.10 运算放大器概述 一、理想运放的符号及电路模型 二、理想运放的三种运算方式 三、运放的两种典型运算

第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构 二、晶体三极管的放大作用 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第四节 射极输出器 一、射极输出器的工作状态 二、射极输出器的应用 第五节 场效应管及其放大电路 一、绝缘栅型场效应管 二、绝缘栅场效应管的主要参数 三、场效应管基本放大电路

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰

二、等效法 三、相量图的辅助解法 6.6 正弦稳态电路的功率 一、一端口电路的功率 二、最大功率传输条件 6.7 含耦合电感与理想变压器 电路的正弦稳态分析 一、回路法分析 二、一次侧、二次侧等效电路 三、T形去耦等效电路 4.8 三相电路 一、对称三相电源 二、Y－Y电路分析 三、Y－Δ电路分析 6.1 正弦量 一、正弦量的三要素 二、正弦量的有效值 三、相位差 6.2 正弦量的相量表示 一、正弦量与相量 二、正弦量的相量运算 6.3 电路定律的相量形式 一、无源元件VAR的相量形式 二、KCL与KVL的相量形式 6.4 阻抗与导纳 一、阻抗与导纳 二、正弦稳态电路相量模型 6.5 正弦稳态电路的相量分析法 一、方程法