江西省(南昌一中、十中、新建二中)2006—2007学年度高三年级第一学期三校联考_2007江西省（南昌一中、十中、新建二中）

Visual Basic中,每个对象都一个相对其容器的坐标,也就是说,每个对象都是存在于一个容器中的,例如,体的容器是整个屏幕,而窗体中的每个控件的容器就是这个窗体或者是窗体中的某个容器控件(如图形框等)。对于每一个容器来说,都需要有一个坐标系,在中学数学中讲过:构成一个坐标系需要有以下三个要素:坐标原点,坐标度量单位,坐标轴的M长度与单位。坐标度量单位由容器的 ScaleMode属性决定, ScaleMode属性 设置如表所示

首先介绍了界面张力和接触角的基本概念，并总结了对于高温体系，常见的界面张力以及接触角的测量方法，重点对实验过程中最常使用的座滴法进行了分析.在冶炼过程中，体系的组成，尤其是钢液中的表面活性元素以及渣中的表面活性组分能显著影响界面润湿性，同时温度对界面润湿性的影响也不可忽略.因此系统分析了这两个主要影响因素对界面润湿性的影响.最后，总结了钢铁冶金过程中常见物质间的接触角和界面张力

设计了不同相构成的超高强DH钢，抗拉强度均大于1300 MPa，组织由铁素体、马氏体、残留奥氏体和极少量碳化物构成。对比了不同相构成对超高强DH钢力学性能和应变硬化行为等的影响，并深入研究了残留奥氏体在超高强度DH钢中的作用机制。结果表明：随着马氏体和残留奥氏体体积分数的增大，铁素体体积分数的减小，实验钢屈服和抗拉强度同时升高，而延伸率呈先增大后减小趋势。软韧相铁素体体积分数的减小和硬相马氏体体积分数的增大导致屈服强度和抗拉强度增加。相对于回火马氏体，淬火马氏体对强度的提升更显著，在拉伸过程中转变的残留奥氏体的量是引起延伸率变化的主要原因，组织中显著的带状组织会造成颈缩后延伸率的明显降低。通过对应变硬化行为的分析表明，随着真应变的增大，应变硬化率呈减小的趋势，在真应变大于2%后的大范围内，对于应变硬化率，DH1>DH2>DH3，主要与铁素体体积分数有关；在真应变大于5.73%后，DH2钢的应变硬化率高于DH1钢和DH3钢，主要与DH2钢中更显著的TRIP效应有关。除了残留奥氏体体积分数，残留奥氏体中的碳含量对TRIP效应同样有显著的影响。较高比例的硬相马氏体组织结合适当比例的软韧相铁素体和残留奥氏体有助于DH2钢获得最良好的强塑积13.17 GPa·%，其中屈服强度达880 MPa，抗拉强度达1497 MPa，均匀延伸率为6.71%，总伸长率为8.8%，颈缩后延伸率为2.09%，屈强比0.59

一、操作系统概述 1 中文 Windows2000 2 中文 Windows2000的运行环境和安装 3 中文 Windows2000的基本知识和基本操作 4 中文 Windows2000资源管理器 5 中文 Windows2000与ms-dos 6 中文 Windows2000控制面板 二、 Linux操作系统简介

第九章中国现行土地所有制 第一节中国现行土地所有制的性质和形式 第二节中国现行土地所有制的建立和发展 第三节中国现行土地征收制度 第四节中国现行土地所有制的完善

中医儿科学发展简史 小儿年龄分期 小儿生长发育 生理病因病理特点 儿科诊法概要 儿科治法概要 中医儿科学研究方法

本辞典共分为力学、热学、电磁学、光学、原子和原子核、单位 和其他以及附录七个部分。前五部分基本上与现行教科书学科顺序相同。 二、本辞典主要是为中学物理教学而编写的。旨在作为中学物理教师 在教学中的参考用书。所收集的词目均是现行中学教材中出现的物理学名 词、定律、定理、定则以及重要的物理现象和仪器设备等

一、一般特征 (孢子具根茎叶的分化,根为不定根。茎 多为根状茎,二叉分枝至单轴分枝,中柱为原生中 柱、管状中柱、网状中柱。禾质部有各式管胞,少 数具导管。茎表皮有鳞片或毛。叶为大型幼叶 拳卷。单叶或复叶,常羽状分裂:叶轴、羽片羽轴 、小羽片、小羽轴、中脉(主脉)叶脉开放脉 序、中间脉序、闭合脉序

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出