北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

§2-1 研究机构结构的目的 §2-2 机构的组成及其运动简图的绘制 §2-3 机构自由度的计算 §2-4 平面机构的组成原理和结构分析

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）模拟集成电路原理与设计

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§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展 北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章 晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）

二极管应用电路；BJT和FET工作原理；小信号模型