用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

第三章 流量测量 流量检测的主要方法和分类 节流式流量计 转子流量计 电磁流量计 涡轮流量计 漩涡流量计 容积式流量计 其它流量检测方法 超声波式流量检测 质量流量检测方法 第四章物位测量 概述 差压式物位仪表 浮力式物位仪表 电容式物位仪表 辐射式物位仪表 第五章温度测量 度检测的主要方法和分类 热电偶及其测温原理 热电阻及其测温原理 温度变送器简介 其它温度检测仪表简介 温度检测仪表的选用和安装

一、带电粒子在电场和磁场中所受的力 方向:即以右手四指由经小于180°的角弯向B,拇指的指向就是正电荷所受洛仑兹力的方向.运动电荷在电场和磁场中受的力

一、电介质(dielectric)对电容的影响 二、电介质的极化(polarization)

8-2 在图8-62所示的电路中，设集成运放的最大输出电压为±12V， R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF，Ui=0.5V，求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V，UO又是多大？如果R1因虚焊而断开，电路处于什么工作状 态？UO是多大？如果RF断开，情况又如何？

一、电场强度与电势梯度(gradient)

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

以型号为Kynar2801的PVDF-HFP (偏氟乙烯-六氟丙稀共聚物)为基质,制备了掺杂微米TiO2粉体的聚合物锂离子电池用多孔电解质隔膜,并采用SEM、XRD、交流阻抗法以及充放电测试等测试手段研究分析该电解质膜的物理及电化学性能.实验结果表明:掺入质量分数6.5%的微米TiO2聚合物电解质膜的室温离子电导率为1.66×10-3S·cm-1,拉伸强度为2.78MPa;在以掺杂电解质膜为隔膜的锂离子电池中,分别以28,70,140,280mA·g-1的电流密度放电时,正极材料LiCoO2的放电容量分别为140.6,127.48,120.25,99.17mAh·g-1

一、点电荷电场的电势(electric potential) 点电荷电场力作功

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点