第2、3章小结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电

第七章半导体存储器 存储器—用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类: 根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类: (1)随机存取存储器(RAM)也叫做读/写存储器。既能方便地读岀所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失 (2)只读存储器(ROM)。其内容只能读出不能写入存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。存储器的容量:存储器的容量=字长(n)×字数(m)

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算

1．自动测试技术的发展； 2．GBIP总线的结构性能； 3．VXI总线的结构和器件分类； 4．智能仪器的结构以及虚拟仪器的结构

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

一、实验目的 1．掌握CMOS集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会CMOS集成门电路主要参数的测试方法

 pn结模型  BJT型晶体管模型  MOS型晶体管模型  MOS型与BJT型晶体管的比较

本章的重点： 1．时序逻辑电路在电路结构和逻辑功能上的特点，以及逻辑功能的描述方法； 2．同步时序逻辑电路的分析方法和设计方法； 3．常用的中规模集成时序逻辑电路器件的应用。 第一节 概述 第二节 同步时序电路的分析方法 第三节 若干常用时序逻辑电路 第四节 同步时序逻辑电路的设计方法

• 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择