采用水热法,以氢氧化钠为分离剂,从含钛电炉熔分渣中成功制备出纳米片状结构二氧化钛光催化剂,并探讨了水热反应时间、水热温度以及碱液浓度对分离提取纳米片状结构二氧化钛的影响.随着水热反应时间的延长,水热温度以及氢氧化钠溶液浓度的提高,从含钛电炉熔分渣中分离提取的二氧化钛结晶度越好,微观形貌更趋近于纳米片状结构.水热法处理含钛电炉熔分渣的最佳反应条件是:水热温度高于180℃,水热反应时间大于24 h,碱液浓度达到12 mol·L-1.以制备得到的纳米片状结构二氧化钛为光催化剂,在氙灯光照90 min后,甲基蓝降解率可达81.1%

《电工电子学课程教学讲义（电工技术）第一章 电路的基本概念与基本定律

第一节 整流电路 第二节 滤波电路 第三节 串联型稳压电 路 第四节 集成稳压器

基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

一、图5-1负反馈放大电路的方框图 二、图5-2例5-1题图(电压并联)

一、半导体基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路及其分析方法

在电子电路中,放大电路 的应用是非常广泛的。在这一 章中,我们主要介绍基本放大 电路的结构、工作原理及性能 指标的分析计算方法

多级放大电路的四种常见耦合方式：

第三章 流量测量 流量检测的主要方法和分类 节流式流量计 转子流量计 电磁流量计 涡轮流量计 漩涡流量计 容积式流量计 其它流量检测方法 超声波式流量检测 质量流量检测方法 第四章物位测量 概述 差压式物位仪表 浮力式物位仪表 电容式物位仪表 辐射式物位仪表 第五章温度测量 度检测的主要方法和分类 热电偶及其测温原理 热电阻及其测温原理 温度变送器简介 其它温度检测仪表简介 温度检测仪表的选用和安装