【题8.1】试分析图P8.1的与-或逻辑阵列写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D 之间的逻辑函数式

4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

4.2 存储器件 4.1 时序逻辑电路的基本概念 4.1.1 时序逻辑电路的结构模型 4.1.2 状态表和状态图 4.3 锁存器 4.3.1 RS锁存器 4.3.2 门控RS锁存器 4.3.3 D锁存器 4.4 触发器 4.4.1 主从触发器 4.4.2 边沿触发器 4.5 触发器逻辑功能的转换 4.5.1 代数法 4.5.2 图表法 4.6 触发器应用举例

第一章数字逻辑基础 第二章逻辑门电路 第三章组合逻辑电路 第四章时序逻辑电路引论 第五章时序逻辑电路的分析与设计 第六章存储器和可编程逻辑器件 第七章脉冲信号的产生与整形

所谓编码就是赋予选定的一系列二进制代码以 固定的含义。（从码的角度看） 给输入信号一个特定代码。（从信号角度看） n个二进制代码（n位二进制数）有2n种不 同的组合，可以表示2n个信号

集成运放是一种多级放大电路， 性能理想的运放应该具有电压增益高、 输入电阻大、 输出电阻小、 工作点漂移小等特点。 与此同时， 在电路的选择及构成形式上又要受到集成工艺条件的严格制约。 因此， 集成运放在电路设计上具有许多特点， 主要有： (1) 级间采用直接耦合方式。 (2) 尽可能用有源器件代替无源元件。 (3) 利用对称结构改善电路性能

双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

一、典型的CCD结构 1.单沟道线阵CCD结构 光敏元、转移栅和移位寄存器构成。 结构见下图3-12所示

实现光电转换、信号储存、转移、输出、处理及电子快门等。 特点： (1）体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长