本书以电工、电子与测控技术等学科理论为基础，以工程应用为导向，编写了集基础技能训练、工程应用训练、综合设计与创新研究于一体的理论与实践项目，主要包含了电工基础、室内供配电、照明技术、锡焊技术、电子元器件、电子电路、EDA技术、传感器与检测技术、电子产品组装技术、电气控制与PLC等内容

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

1. 光波导材料介绍 2. 成膜技术 3. 图案形成技术 4. 波导实现技术 5. 器件的封装测试技术 6. 专题：光波导的损耗

本章的重点： 1．时序逻辑电路在电路结构和逻辑功能上的特点，以及逻辑功能的描述方法； 2．同步时序逻辑电路的分析方法和设计方法； 3．常用的中规模集成时序逻辑电路器件的应用。 第一节 概述 第二节 同步时序电路的分析方法 第三节 若干常用时序逻辑电路 第四节 同步时序逻辑电路的设计方法

6.1 概述 6.2 直流信号的放大 6.3 差分放大器 6.4 集成运算放大器典型电路介绍 6.5 集成运算放大器的性能参数和模型 6.7 集成运算放大器的应用 6.8 实际集成运放电路的误差分析 6.6 理想运放及其基本组态 6.9 在系统可编程模拟器件ispPAC 6.10 单电源供电运放电路 6.11 电流模式运算放大器 6.12 集成跨导放大器 6.13 模拟乘法器

5.1 概述 5.1.1 功率放大器的主要指标 5.1.2 功率放大器的分类 5.2 互补推挽功率放大器 5.2.1 乙类推挽功率放大器的工作原理 5.2.2 乙类推挽功率放大器的分析计算 5.2.3 乙类推挽功率放大器的非线性失真 5.3 其它形式的功放电路 5.3.1 单电源供电的互补推挽电路 5.3.2 准互补推挽功率放大器 5.4 功率器件、散热及保护电路

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

本章重点是集成门电路，主要介绍了CMOS 和 TTL 集成门电路，重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。难点是门电路的工作原理。 • 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点