一、支路电流法与节点电压法 二、叠加定理与戴维南定理 三、电路等效概念及其应用

一、三相电源及三相负载的正确联接 二、对称三相交流电路电压、电流和功率计算 三、三相四线制电路中中线的作用 四、安全用电的常识和重要性 五、接零、接地保护的作用和使用条件 六、静电保护和电气防火、防爆的常识

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

掌握有关作用尺寸、最大实体尺寸、最大实体尺寸边界、最大实体 实效尺寸、最大实体实效边界等概念;独立原则、包容要求的基本 概念,并会分析应用

一、基本内容: 1、形位公差的标注:被测要素、公差框格、指引线(垂直于框格引出, 指向公差带宽度方向)、基准(分清轮廓要素和中心要素,字母放正, 单一基准和组合基准)

一、了解:计算机网络的形成与发展 二、掌握:计算机网络的定义 三、掌握:计算机网络的拓扑构型 四、掌握:计算机网络的分类方法 五、了解:典型的计算机网络 六、了解:公共数据网的发展 七、了解:计算机网络应用的主要领域 八、了解:计算机网络应用带来的社会问题