第一章 高分子链的结构 第二章 聚合物的晶态结构 第三章 高分子溶液 第四章 聚合物分子量及分子量分布 第五章 聚合物的转变与松弛 第六章 聚合物的高弹态－橡胶弹性 第七章 聚合物的粘弹性 第八章 固体聚合物的力学性质 第九章 聚合物的流变性 第十章 聚合物的电学性质

对\交叉热线\实验中测温热电偶尺寸对材料热导率测量精度的影响做出了理论分析,推导出一个实用的热线温升修正关系式。用它对硅藻土砖、轻质粘土砖和建筑红砖这类不透明固体的热导率进行了测试,结果与平面热源法及文献中的数据相符合,此外,在300~1300K温度范围内,对K9冕玻璃试样的热导率进行了测量

内容提要： 固体表面力场与表面能。 离子晶体在表面力场作用下，离子的极化与重排过程。 多相体系中的界面化学：如弯曲效应、润湿与粘附，表面改性。 多晶材料中的晶界分类，多晶体的组织，晶界应力与电荷。 粘土胶粒带电与水化等一系列由表面效应而引起的胶体化学性质如泥浆的流动性和触变性、泥团的可塑性等

用质量分数3.5%的NaCl溶液作为腐蚀液,滴于低碳铁素体钢、09CuPCrNi钢和低碳贝氏体钢的表面并形成薄液膜,用金相显微镜观测薄液膜下三种钢的初期腐蚀.低碳铁素体钢和09CuPCrNi钢均出现了明显的晶界择优腐蚀,而低碳贝氏体钢没有出现明显的晶界择优腐蚀.钢基体的电化学阻抗谱和极化曲线测量结果显示低碳贝氏体钢具有最高极化电阻和最小腐蚀电流,表明细晶组织的低碳贝氏体钢的初期腐蚀速率低于其他两种钢

一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 ()2.多位数加法器可利用半加器通过位数扩展得到。 ()3.下图电路中,图(a)和图(b)的逻辑功能相同

采用硫酸浸出-硫化沉铜-两段中和除铬-碳酸镍富集工艺,从电镀污泥中综合回收铜、铬和镍.考察了各工序过程中的影响因素,获得了最佳工艺条件:酸浸过程中反应时间为0.5 h,反应温度为50℃,硫酸加入量为理论量的0.8倍;沉铜过程中,沉铜剂加入量为理论量的1.2倍,反应时间和反应温度分别为1 h和85℃;采用两段除铬工序有效降低了沉淀过程中的镍损失.整个工艺中,铜、铬和镍的回收率分别达到98%、99%和94%以上

采用动电位极化方法研究了在0.5mol·L-1 NaHCO3溶液中Cl-对X80管线钢腐蚀行为的影响,并通过电容测量方法对其腐蚀机理进行了探讨.实验结果表明:Cl-使X80管线钢在0.5mol·L-1 NaHCO3溶液中发生了点腐蚀,且随着溶液中Cl-含量增加,腐蚀坑的数量增多,腐蚀坑的直径增大,降低了X80管线钢的耐腐蚀性能.Mott-Schottky分析表明:随着溶液中Cl-含量增加,X80管线钢钝化膜内的施主密度随之增大,增加了X80管线钢钝化膜局部破裂和腐蚀萌生的潜在位置,从而使其耐腐蚀性下降

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

一、蛋白质构象(高级结构)的研究方法 到目前为止,研究蛋白质高级结构的方法仍然是 以射线衍射法(X--ray diffraction method)为主,X射 线衍射法的原理是:当X射线(=500nm)投射到蛋白 质晶体样品时,蛋白质分子内部结构受到激动,入 射线反射波互相叠加产生衍射波,衍射波含有被测 蛋白质构造的全部信息,通过摄影即可得一张衍射 图案(diffraction pattern),再用电脑进行重组,即可 绘出一张电子密度图(electro density map)。从电子密 度图可以得到样品的三维分子图象,即分子结构的 模型