兰州交通大学：《现代交换技术》课程教学资源（课件讲稿，打印版）第九章 光交换

10.0引言 10.1小功率整流滤波电路 10.2串联反馈式稳压电路

一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、等离子体刻蚀机制 四、 未来的纳米光刻技术

东华大学：《光全息存储》课程教学资源（PPT课件讲稿）第6章 复用技术

一、外光电效应及器件： 1、外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子吸收光的能量逸出物体表面向

路堑、基坑、沟槽等开挖，常实施松散爆破。 为保持边坡稳定，可实施光面或预裂爆破

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

1 相对密度法 2 折光法 3 旋光法 4 黏度检测法 5 气体压力测定法

东华大学出版社：《光电信息技术》教材电子教案（PPT课件讲稿）第三章 光电信息转换

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等