一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

（1）阻抗的概念及电阻、电容和电感的等效电路； （2）电阻、电容和电感的种类及参数； （3）半导体器件的特性、参数与种类； （4）晶体管特性图示仪

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

一、控制电路设计注意事项 ①主电路保护的设置 这里所讲的保护,主要是针对电源变换装置里 的器件,需要保护的状态包括:过电压、过电流、 过热等。 电力电子装置里的许多元件,特别是半导体器 件,对电压电流非常敏感,正确地设置保护电路, 对电源变换装置的安全运行至关重要

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

一、概述 表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

5.1概述 在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺等

目录 第1章传感与检测技术的理论基础 第2章传感器概述 第3章应变式传感器 第4章电感式传感器 第5章电容式传感器 第6章压电式传感器 第7章磁电式传感器 第8章光电式传感器 第9章半导体传感器 第10章超声波传感器 第11章传感器在工程检测中的应用

上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论,虽然取得了较大成功,能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题,但仍有不少物理性质,如有些金属正的霍耳 系数,固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质,以及部份金属电导率有各向异性等, 是这个理论无法解释的