一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖

一、物质电性质分类 1.导体、绝缘体与半导体 各种物质电性质的不同,早在18世纪初就为人们所注意了1729年,英国人格雷(Stephen Gray)就发现金属和丝绸 的电性质不同,前者接触带电体时能很快把电荷转移或传导到别的地方,而后者却不能。 由于不同原子内部的电子数目和原子核内的情况各不相同,由不同原子聚集在一起构成的不同物质的电性质也各不相 同,甚至有的差别很大

4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

一､寄存器 寄存器常用于寄存一组二值代码,它被广泛地用 于各类数字系统和数字计算机。 从广义上说寄存器也是一种存储器，但是它又不 同于第九章介绍的半导体存储器

上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论，虽然取得了较大成功，能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题，但仍有不少物理性质，如有些金属正的霍耳 系数，固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质，以及部份金属电导率有各向异性等， 是这个理论无法解释的

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

（1）阻抗的概念及电阻、电容和电感的等效电路； （2）电阻、电容和电感的种类及参数； （3）半导体器件的特性、参数与种类； （4）晶体管特性图示仪

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

一、控制电路设计注意事项 ①主电路保护的设置 这里所讲的保护,主要是针对电源变换装置里 的器件,需要保护的状态包括:过电压、过电流、 过热等。 电力电子装置里的许多元件,特别是半导体器 件,对电压电流非常敏感,正确地设置保护电路, 对电源变换装置的安全运行至关重要