3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

具体描述电路各元件的端口及其连接； 以基本元件为基础逐级构建； 元件：已经定义的电路模块（实体），可以来自标准库中，也 可以是自己或他人以前编译过的实体； 元件的基本要点： 元件名 输入/输出端口特点；

1. 正确理解放大电路主要性能指标的意义。 2. 掌握直流工作点的设置方法及其稳定的意义；会画放大电路的直流通路；掌握直流工作点的调节方法；能够熟练地估算直流工作点

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

一、实验目的 1.熟悉555时基电路逻辑功能的测试方法。 2.熟悉555时基电路的工作原理及其应用

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

Review VHDL程序组成部分及其功能

7.1反馈的基本概念与分类 7.1.1反馈的基本概念 7.2负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 7.1.2四种类型的反馈组态 7.3负反馈对放大电路性能的改善 7.4负反馈放大电路的分析方法 7.5负反馈放大电路的稳定问题