§7-1 概述 §7-2 只读存储器ROM §7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数

§5-1 概述 §5-2 时序逻辑电路的分析方法 §5-3 若干常用的时序逻辑电路 §5-4 时序逻辑电路的设计方法

§1-1 概述 §1-2 逻辑代数中的三种基本运算 §1-3 逻辑代数的基本公式和常用公式 §1-4 逻辑代数的基本定理 §1-5 逻辑函数及其表示方法 §1-6 逻辑函数的公式化简法 §1-7 逻辑函数的卡诺图化简法 §1-8 具有无关项的逻辑函数及其化简

4.1设计前的准备 4.2系统设计原则与步骤 4.3工作区子系统设计 4.4水平子系统设计 4.5管理子系统设计 4.6垂直干线子系统设计 4.7设备间子系统设计 4.8建筑群子系统设计 4.9其它系统的设计 4.10图纸设计 4.11综合布线系统设计方案 4.12学生宿舍网络综合布线系统设计方案

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

以易控的工艺条件为基础，通过设计简易实验装置来模拟锆合金在实际生产中的张力退火过程。采用X射线衍射（XRD）和电子背散射（EBSD）技术，对不同温度和不同张力下退火处理后的Zr–4合金织构和再结晶行为进行研究。结果表明，施加外加应力和提高退火温度可显著改变再结晶织构演化过程。随着外加应力值的增加以及退火温度的升高，锆合金的主要织构($\\overline 1 2\\overline 1 5$

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素