用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验发现，以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段．实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征，并对有关现象进行了初步讨论．

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零

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10.0概述 1.调制的目的:使数字信号适合在带通信道中传输; 2.模拟调制与数字调制的异同相同点: a.实现信号的频谱搬移和变换; b.载波为正弦信号; c.可采用调幅、调频和调相等方式。 区别: a.通常受控参数变化离散化; b.可同时调制多于一个的参数,如相位与幅度

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