电力电子学是研究电力的传送、电力的变换、电力的控制和电力的开关的电子学， 又称为功率电子学， 工业上称它为电力电子技术或半导体变流技术。 内容概要： 无触点开关 交流不间断电源 高压直流输电 静止无功补偿器 静止无功发生器 有源电力滤波器 可再生能源与电网的互联 灵活交流输电

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 最简单的与、或、非门电路 2.4 TTL门电路 *2.5 其它类型的双极型数字集成电路 2.6 CMOS门电路 *2.7 其它类型的MOS集成电路 *2.8 TTL电路与CMOS电路的接口

§１.１ 晶闸管的结构和工作原理 §１-２晶闸管的特性 §１-３晶闸管的主要参数 §１-４大功率二极管 §１-5 散热技术

§5-1 对晶闸管触发电路的基本要求 §5-2 单结晶体管移相触发电路 §5-3 锯齿波同步移相触发电路 §5-4 触发脉冲与主电路的同步 §5-5 干扰及抑制措施

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙