TX-1B 单片机实验板使用手册 言相对 C 语言来说执行效率较高，但编程啰嗦烦杂，程序的可移植性 较差，也就是说用户对某个芯片或电路编写的驱动程序只在一套电路 板上可使用，而当换个电路后用户又要自己重新编写这套驱动程序。 这样就在使用的过程中带来了不少麻烦，其次其指令很多，也不方便 记忆，因此我建议初学者直接学习用 C 语言给单片机编程就可以，无 需学汇编语言

一． 配置和下载电路设计 二． 复位、时钟、清零等专用引脚处理 三． I/O接口设计 四． 电源设计和功耗估计 五． 高速电路设计 六． LVDS接口设计 七． 示例：Cyclone系列FPGA的硬件设计

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?

6.3.1 差动输入单片集成CMOS电压比较器 6.3.2 高精度自稳零CMOS集成电压比较器

一、同相比例放大器 二、反相比例放大器 三、电流电压变换放大器 四、差动放大器 五、自举型高输入阻抗放大器 六、斩波稳零放大器 七、仪用放大器 八、隔离放大电路

一、数控装置的作用 数控装置的主要作用是,读入数控加工程序,将其 转换成控制机床运动和辅助功能要求的格式,分别送 给进给电机控制单元、主轴电机控制单元和PLC,具 有内置PLC功能的数控装置本身具有逻辑量解算功能, 直接将解算结果送给机床强电控制系统。具有闭环控 制功能的数控系统还会读入机床位置检测装置发出的 实际位置信号,与指令位置比较后,用其差值控制机 床的移动,可以获得较高的位置控制精度

一、分子的线度和分子力 分子有单原子分子、双原子分子、多原子分子和千万个原子构成的高分子不同结构的分子其尺度不一样例标准状态氧分子分子间距10 直径d≈4×10-10m分子线度

采用EBSD微取向分析方法,通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程.结果表明,在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001}<100>的晶核优先形成,但是再结晶完成以后却会出现较强的立方织构,因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取向晶粒的取向生长机制实现的.立方取向晶核容易在S取向{123}<634>的形变晶粒之间产生

4.1 复数及其运算 4.2 相量和复阻抗 4.3 相量分析法 4.4 复功率

3.1 正弦交流电路的基本概念 3.2 正弦量的有效值 3.3 交流电路中的常用元件