基于激光电子散斑干涉技术(ESPI),对涂层失效过程的电子散斑干涉技术检测平台进行设计搭建,在不破坏涂层前提下,观察到浸泡失效过程中涂层的原位、实时和动态干涉条纹,并对其进行优化处理.将原位、实时观察到的条纹与零时刻条纹图像相减后进行计算机二值化处理,得到反映涂层失效信息的原位、实时及动态图像.针对环氧色漆/碳钢涂装体系,证实了电子散斑干涉技术分析的有效性,并根据其检测图像的变化,将环氧涂层的浸泡过程分为三阶段:初期没有斑点,涂层完好;中期出现模糊的斑点,涂层防护作用下降;后期出现清晰的黑色大斑点,涂层丧失防护能力.实现了涂层/金属界面失黏、膜下金属腐蚀微观发展过程原位、实时和动态的无损检测

一、实验内容: 对74HC139电路的片选信号Cs支路进行分析,确定其域值电压,输入输出 延迟及功耗,并给出Cs支路的版图设计

12.5.1限幅器 12.5.2电压比较器 12.5.3 迟滞比较器 12.6 信号发生器 12.6.1方波发生器 12.5 集成运放的非线性应用

发光二极管 发光二极管的结构和工作原理 注入式电致发光器件 PN结烧结在陶瓷或金属底座上透明环氧树脂封装

6.1.1 常用脉冲波形及参数 6.1 RC电路 6.2.1 用集成门电路构成的施密特触发器 6.2.2 集成施密特触发器 6.1.2 RC电路的应用 6.2 施密特触发器 6.2.3 施密特触发器的应用

• 第四节 混频器 • 第五节 滤波器 • 第六节 放大器 • 第七节 频率源

1.二端口网络 2.导纳方程阻抗方程 3.传输参数和混合参数 4.二端口网络的等效电路 5.二端口与电源及负载联结 6 .二端口网络的级联

• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache

12.1 拉普拉斯变换的定义 12.2 拉普拉斯变换的基本性质 12.3 拉普拉斯反变换 12.4 应用拉普拉斯变换分析线性电路

了解拉普拉斯变换的定义和基本性质。在熟悉基尔霍夫定律的运算形 式、运算阻抗和运算导纳的基础上， 掌握拉普拉斯变换法分析和研究线性 电路的方法和步骤；在求拉氏反变换 时，要求掌握分解定理及其应用