一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

• 9.1 安全审计 • 9.1.1 安全审计概念 • 9.1.2 审计系统的结构 • 9.1.3 审计的数据来源 • 9.2 数字取证 • 9.2.1 数字取证概述 • 9.2.2 电子证据的特点和取证基本原则 • 9.2.3 数字取证的过程 • 9.3 数字取证关键技术和工具 • 9.3.1 证据信息类别 • 9.3.2 来自文件的数据 • 9.3.3 来自操作系统的数据 • 9.3.4 来自网络的数据 • 9.3.5 来自应用软件的数据

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

1、差错控制编码 信道编码就是对数字基带信号进行再编码,以 改善其在信道中传输可靠性的数据编码技术。差错 控制编码就是一种较为重要的信道编码技术, 差错控制编码就是在发送端被传信息码序列的 基础上、按照一定的规则加入若干“监督码元”后 进行传输,这些加入的码元与原来的信层码序列之 间存在着某种确定的约束关系。接收端按照既定的 规则检验信息码元与监督码元之间的关系

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

本章学习目标： • 总线的基本概念、总线的分类、总线控制原理 • 主板的基本组成和结构、作用和功能 • 微机主板和总线标准的发展历程、主流技术和最新发展动态 3·1 总线基本概念 3·2 总线原理 3·3 微机系统总线标准 3·4 总线新技术 3·5 认识主板 3·6 主板结构 3·7 主板控制芯片组 3·8 主板发展趋势