第五章时序逻辑电路 5.1概述 5.2寄存器 5.3计数器的分析 5.4计数器的设计 5.5计数器的应用举例

• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache

8.1集成运算放大器 8.2集成运放的应用

一、零电阻现象 二、完全抗磁性迈斯纳效应 三、临界磁场和临界电流 四、同位素效应 五、约瑟夫森效应 六、各种超导材料简介

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极

用上述公式计算磁场遇到麻烦 磁化电流和B互相牵扯,难于测量和控制,通常也是未知的

一、有介质时,场和真空中的场有何异、同? 二、库仑定律+叠加原理仍成立

一、物质与场是物质存在的两种形式 二、物质性质: 非常复杂(只能初步地讨论)

6.7.1 共源极放大电路 合适的静态工作点Q

一、零电阻现象 二、临界磁场效应 三、完全抗磁性—迈斯纳效应