4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

1. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？

一、电路组成 二、简化电路及习惯画法 三、简单工作原理 四、放大电路的静态和动态 五、直流通路和交流通路

1.试分析下列问题: (1)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化?共射极放大电路 (2)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化? (3)减小V时,负载线将

1. BJT小信号模型是在什么条件下建立的？受控源是何种类型的？ 2. 若用万用表的“欧姆”档测量b、e两极之间的电阻，是否为rbe?

一、晶体中电子的速度 二、电子在外电场作用下的加速度，有效质量，等能面 三、导体、绝缘体和半导体，布洛赫 四、振荡，空穴 五、金属的电导 六、霍尔效应

第一章 晶体结构 第二章 晶体中的电子和声子 第三章 外场作用下晶体电子的运动 第四章 固体的热学性质 第五章 固体的机械性质 第六章 半导体中的电子过程 第九章 超导电性

7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM 7-4 存储器容量的扩展 7-5 用存储器实现组合逻辑函数

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口

第一章 单片机的基础知识 第二章 MCS-51指令系统 第三章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 第五章 输入输出与中断 第六章 并行接口与定时／计数器 第七章 串行接口 第八章 功能器件的应用 第九章 单片机的C51编程 第十章 单片机控制系统设计与调试