通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙

一､寄存器 寄存器常用于寄存一组二值代码,它被广泛 地用于各类数字系统和数字计算机。 从广义上说寄存器也是一种存储器，但是 它又不同于第九章介绍的半导体存储器。 寄存器的特点： 存数方便，但容量小，一般只能存放一个 或几个字，通常用来暂存运算的中间结果，而 且一旦掉电，存放的数据即丢失

2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

1. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？

一、电路组成 二、简化电路及习惯画法 三、简单工作原理 四、放大电路的静态和动态 五、直流通路和交流通路

1.试分析下列问题: (1)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化?共射极放大电路 (2)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化? (3)减小V时,负载线将

1. BJT小信号模型是在什么条件下建立的？受控源是何种类型的？ 2. 若用万用表的“欧姆”档测量b、e两极之间的电阻，是否为rbe?