点击切换搜索课件文库搜索结果(990)
文档格式:PDF 文档大小:804.81KB 文档页数:7
采用金相显微镜和扫描电镜研究实验室模拟薄板坯连铸连轧(TSCR)工艺试制的高磁感取向硅钢(Hi-B钢)组织、织构的演变特征.研究发现实验室模拟薄板坯连铸连轧工艺试制的Hi-B钢热轧板显微组织及织构在厚度方向上存在不均匀性.常化板表面脱碳层铁素体晶粒明显粗化,常化板织构基本继承了热轧板相应的织构类型,仅织构强度不同.一次大压下率冷轧后,晶粒及其晶界沿轧向被拉长形成鲜明的纤维组织,织构主要为α纤维织构和γ纤维织构,脱碳退火后试样发生回复和再结晶现象并形成初次晶粒组织,脱碳退火后织构分布较为集中.温度升高至1000℃时二次再结晶开始,1010℃时钢中晶粒发生异常长大,高斯织构强度达到61.779.成品磁感为1.915 T,铁损为1.067 W·kg-1
文档格式:PDF 文档大小:745.68KB 文档页数:39
厦门大学:《群论及其在化学中的应用》课程教学资源(课件讲稿)Chapter 11 酉空间(Unitary Space)Chapter 12 表示的约化及其判据 Chapter 13 正交定理 The Orthogonality Relations Chapter 14 直积群的表示 Chapter 15 表示的分解 Chapter 16 投影算符(Projection Operator)
文档格式:PPT 文档大小:1.83MB 文档页数:165
线性定常齐次状态方程的解 矩阵指数函数-状态转移矩阵 线性定常系统非齐次方程的解 线性时变系统的解 离散系统状态方程的解 连续时间状态表达式的离散化
文档格式:PPT 文档大小:683KB 文档页数:18
– 褐变概述 – 褐变分类 – 非酶褐变 羰氨反应 焦糖化反应 抗坏血酸反应 非酶褐变对食品质量的影响 非酶褐变的控制方法 – 酶促褐变 酶促褐变的概念与条件 酶促褐变的反应历程 酶促褐变的控制方法
文档格式:PDF 文档大小:538.81KB 文档页数:9
用拉格朗日动力学第二类方程建立机器人动力学算法,是一种常用的,行之有效的方法,但是,计算起来很繁。Pual引入平移和旋转微分向量进行化简,最后得到了近似解。本文在用拉氏方程得到机器人动力学算法的基础上,引进线性空间的内积概念得,到内积法,并用它来计算我院机器人ROBOT—1的动力学方程,可使计算大为简化
文档格式:PDF 文档大小:1.45MB 文档页数:6
动态氧化不仅有利于含钛高炉熔渣中钛组分富集于设计相(钙钛矿相),同时还会促进钙钛矿相析出与粗化,在自然重力作用下粗化的钙钛矿实现重力富集与沉降分离.本文运用玻璃形成动力学方程,对动态氧化条件下含钛熔渣中钙钛矿相形核速率和晶体生长速率进行分析和研究.结果表明,向熔渣鼓入氧气,低价钛逐渐氧化为四价钛,促进钙钛矿析出反应的进行,提高了钙钛矿晶体生长速率.继续通入氧气则氧化时间过长,熔渣中高熔点TiC和TiN固体颗粒基本消失,黏度降低,异相形核转化为均相形核,析出温度显著降低,析晶温度区间缩短,不利于钙钛矿晶粒粗化和长大
文档格式:PDF 文档大小:734.42KB 文档页数:8
为了研究碳酸根离子对富水充填材料的影响,通过强度检测、扫描电镜观察、X射线衍射分析和红外光谱测试,分析富水充填材料在碳酸钠溶液中浸泡后的宏观及微观结构变化,并对其腐蚀及劣化机理进行探讨.富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后,抗压强度随浸泡时间延长大幅度降低,浸泡90 d后抗压强度比标养28 d抗压强度降低72.5%,浸泡28 d后出现泥化现象.X射线衍射图谱显示,富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后有碳硫硅钙石生成,且随浸泡时间延长碳硫硅钙石的生成量增大.红外光谱结果未发现[AlO6]存在,证实在碳酸钠溶液中富水充填材料硬化体中钙矾石急剧减少,转变为烂泥状的碳硫硅钙石;碳硫硅钙石作为无胶结力物质,会对富水充填材料硬化体造成严重破坏,表明碳酸盐溶液对富水充填材料具有腐蚀作用
文档格式:PPT 文档大小:542KB 文档页数:14
1.变电站综合自动化综述 2.CSC-2000变电站自动化系统设计理念 3.综自实验教学系统简介 4.结论
文档格式:PPT 文档大小:648.3KB 文档页数:65
本章介绍了Hibernate框架的基本知识,包括:Hibernate核心组件、工作原理、编程步骤和实体映射的基本方法,最后通过两个案例说明Hibernate的具体应用。 Hibernate简介 Hibernate结构体系 核心组件和运行过程
文档格式:PDF 文档大小:2.83MB 文档页数:54
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
首页上页5556575859606162下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 990 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有