采用电化学测试技术与化学浸泡实验相结合,对比研究了409L和430铁素体不锈钢热轧板材耐点蚀和耐晶间腐蚀的能力.结果表明:409L不锈钢的击穿电位与保护电位的差小、钝化膜的修复能力较强,表现为小尺度的浅点蚀孔;430不锈钢的击穿电位较高,耐点蚀能力高于409L不锈钢,但430不锈钢热轧态的条带组织有明显的腐蚀微电池效应,表现为比较严重的全面腐蚀;409L不锈钢含Cr量低,且其热轧态未经过稳定化处理,使得409L不锈钢耐晶间腐蚀能力劣于430不锈钢.经微观分析:409L不锈钢为沿着基体等轴晶界的典型晶间腐蚀形貌特征,而430不锈钢在轧向碳化物(M23C6)与基体的相界面上呈现分层腐蚀痕迹

8.1 系统并行扩展结构 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 8.2.2 外部地址锁存器 8.3 静态数据存储器RAM的并行扩展 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 8.3.3 AT89S52单片机与RAM的接口设计与软件编程 8.4 片内Flash存储器的编程 8.4.1 使用通用编程器的程序写入 8.4.2 使用下载线的ISP编程 8.5 E2PROM的并行扩展 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 8.5.2 E2PROM的工作方式 8.5.3 AT89S52单片机扩展E2PROM AT2864的设计

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

2.1 数控加工工艺概述 一、数控加工工艺的基本概念 二、数控加工的内容 三、数控加工的步骤 四、数控加工工艺的主要内容 五、数控加工工艺的主要步骤 2.2 数控加工工艺分析 一、数控加工工艺的特点 二、数控机床加工内容的选择分析 三、数控加工零件工艺性分 2.3 数控加工工序设计 一、毛坯的确定 二、工艺路线确定 三、定位夹紧方案的确定 四、刀具的选择 五、切削用量的确定 六、走刀路线的确定 2.4 数控加工的数学处理 一、基点、节点、刀位点的概念 二、基点、节点的数学计算处理 三、切入、切出点的处理 2.5 数控加工工艺文件的制定

基本原则之一：面积和速度的平衡与互换； 基本原则之二：硬件原则； 基本原则之三：系统原则； 基本原则之四：同步设计原则； 基本设计思想与技巧之一：乒乓操作； 基本设计思想与技巧之二：串并转换； 基本设计思想与技巧之三：流水线操作； 基本设计思想与技巧之四：数据接口的同步方法； 常用模块之一：RAM; 常用模块之二：全局时钟资源与时钟锁相环； 常用模块之三：全局复位/置位信号； 常用模块之四：高速串行收发器。 HDL语言的层次含义； ·Coding Style的含义； ·结构层次化编码； ·模块的划分的技巧； 比较判断语句case和if...else的优先级； 慎用锁存器(Latch); ·使用Pipelining方法优化时序； 模块复用与Resource Sharing; 逻辑复制； 香农扩展； 信号敏感表； 复位逻辑； FSM设计的一般型原则； 用Verilog语言设计FSM的技巧； ·CPLD原理与设计方法

互联网逐渐成为社会基础设施，现有ＴＣＰ／ＩＰ体系结构面临诸多挑战，未来互联网体系结构成为研究热点．文中分析了现行互联网在可扩展性、动态性、安全可控性等方面面临的根本性问题，综合比较了面向可扩展性、面向动态性及可信未来互联网体系结构研究，讨论了相关体系结构存在的问题．实验验证是未来互联网研究的重要手段，论文进一步分析了支持互联网体系结构持续创新所需的可编程虚拟化路由器及其试验床的研究进展．论文最后讨论了未来互联网体系结构有待重点研究的相关问题．

放大器概述 放大器的一般描述 分析放大器的一般方法 晶体管单管放大器 单管放大器的一般结构 单管放大器的分析方法 单管放大器的频率特性 单管放大器的比较 双管组合放大器  双管组合放大器的特点： 发挥基本放大器的优点，避免其缺点  双管组合电路的基本形式： 共射-共基电路和共源－共栅电路 共集-共集电路 共集-共射电路 共集-共基电路 复合管 多级放大器的级间耦合方式  直接耦合  阻容耦合  变压器耦合

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.3.1 BJT放大电路的图解分析法 5.3.2 BJT放大电路的小信号模型分析法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.4.1 温度对静态工作点的影响 5.4.2 射极偏置电路 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.7.1 共射-共基放大电路 5.7.2 共集-共集放大电路 5.7.3 共源-共基放大电路 5.8 光电三极管

10.1 滤波电路的基本概念与分类 10.2 一阶有源滤波电路 10.3 高阶有源滤波电路 10.3.1 有源低通滤波电路 10.3.2 有源高通滤波电路 10.3.3 有源带通滤波电路 10.3.4 二阶有源带阻滤波电路 *10.4 开关电容滤波器 10.5 正弦波振荡电路的振荡条件 10.6 RC正弦波振荡电路 10.7 LC正弦波振荡电路 10.7.1 LC选频放大电路 10.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 10.7.3 三点式LC振荡电路 10.7.4 石英晶体振荡电路 10.8 非正弦信号产生电路 10.8.1 电压比较器 10.8.2 方波产生电路 10.8.3 锯齿波产生电路