§10.1 典型复合反应动力学 1. 对峙反应 2. 平行反应 3. 连串反应 §10.2 复合反应的近似处理方法 1. 稳态近似法 2. 平衡态近似法 §10.3 链反应 1. 一般原理 2. 直链反应 3. 支链爆炸 §10.4 反应机理的探索和确定示例 例1 2NO + O2  2NO2 例3 H2 +Br2  2HBr 例2 丙酮与碘的反应 §10.5 催化反应 1、均相催化：H+对酯类水解的催化 2、复相催化：V2O5对SO2 +O2 SO3 催化 3、生物催化（酶催化）：馒头发酵，制酒发酵。 §10.6 光化学概要 §10. 7 快速反应与分子反应动力学研究方法简介 1.阻碍流动技术 2.闪光光解技术 3.弛豫技术 4.交叉分子束技术 5.态－态反应技术

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

本书为普通高等教育“十一五”国家级规划教材。主要阐述了燃烧的概念、基础理论、燃烧装置及燃烧技术。书中既着重于系统地阐述与燃料燃烧过程有关的基本概念和基本理论，又重点介绍固、液和气体燃料燃烧技术和控制燃烧过程中污染物的生成及排放的基本原理和方法。该书紧密结合国家和地方发展燃气轮机技术、城市垃圾焚烧技术和“西气东送”的政策和大趋势，充分反映能源与动力行业技术发展的新趋势和新动向，力求使读者获得适应21世纪能源动力学科和产业发展需求的知识和能力

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

6.1 变频调速的基本控制方式 6.2 异步电动机电压.频率协调控制的稳态机械特性 6.3 电力电子变压变频器的主要类型 6.4 变压变频调速系统中的脉宽调制（PWM）技术 6.5 基于异步电动机的稳态数学模型变压变频调速系统 6.6 异步电动机的动态数学模型和坐标变换 6.7 基于动态模型按定子磁链控制的直接转矩控制系统

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素