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一、实验目的： 1、研究负反馈对放大器性能的影响； 2、进一步掌握放大器的电压增益和输出电阻的测量方法

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相

《电力电子装置设计与应用》逆变电路输出电压

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1、磁棒插入或抽出线圈时,线圈中产生感生电流; 2、通有电流的线圈替代上述磁棒,线圈中产生感生电流; 3、两个位置固定的相互靠近的线圈,当其中一个线圈上电流发生变化时,也会在另一个线圈内引起电流

3.6 算数运算电路 3.8 奇偶校验电路

了解单片机测控系统中接口元件的作用； 了解D/A转换器与80C51的连接方法，能读懂教材中的控制实例； 掌握A/D转换器与80C51的连接方法，能编写与教材同等难度的应用程序； 了解直流电机控制芯片TA7257P的应用； 理解步进电机的工作原理、励磁方式，能用其实现简单控制； 7.1 数/模转换接口 7.2 模/数转换接口 7.3 电动机控制

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一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路