作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

以12Cr-0.5Ti-1W的气雾化粉和纳米Y2O3粉末为原料，通过对预合金粉末的机械合金化和热等静压烧结成型的方法制备了12Cr-ODS铁素体钢，然后运用锻造和热处理等方法实现对材料力学性能的提高.在透射电子显微镜下观察到组织中弥散分布的纳米氧化物颗粒，能谱分析确定氧化物弥散颗粒为Y-Ti-O的复杂氧化物.利用抗拉强度测试和超声无损检测等方法对12Cr-ODS铁素体钢的力学性能进行了分析

一、概述 二、X光电子能谱 三、俄歇电子能谱 四、扫描隧道显微镜(STM) 五、与原子力显微镜(AFM)

4－1 粉末照相法 4－2 X射线衍射仪 4－3 衍射花样标定（指数化） 4－4 点阵常数的精确测定

参加此专题研究的有七个省、四院校，共计十一个单位，重点对十种半刚性材料和沥青 混合料进行了测试和研究工作，根据这些资料汇总取得下列成果

一、电子探针的原理 二、电子探针仪的结构 三、波谱仪(WDS) 四、能谱仪(EDS) 五、电子探针仪分析方法

采用具有一维线状结构的导电高分子聚苯胺为原料进行高温处理,制备成导电碳材料,并将其做为二次锂电池的工作电极,组装成电池,进行电化学测试,结果表明:此方法制备的碳材料具有较高的充放电容量和较好的充放电可逆性

第一节振动光谱的基本原理 第二节红外光和红外光谱 第三节红外光谱的应用 第四节拉曼光谱

在分析金属薄膜磁电阻传感器非线性产生原因的基础上,提出了几种设计AMR(各向异性磁电阻)薄膜磁电阻传感器时改善其线性度的方法.用直流磁控溅射方法制备了Ni80Fe20和Ni65Co35AMR薄膜材料;用微加工工艺制做出了几种AMR传感器元件,并给出了测试结果

系统运用材料物理学、弹性力学、热力学、工程测试技术的理论知识以及有限元数值仿真、实验分析等方法,研究高温应变片热输出误差的影响因素并得出补偿修正模型.首先根据材料电阻温度效应理论及热膨胀理论研究了高温应变片热输出的耦合特性,建立耦合作用下高温应变片的热输出模型,得到了构件、胶层和应变片三者耦合作用下应变片热输出的理论表达式;然后根据材料的电阻温度效应推导出不同栅丝材料的电导率参数,利用有限元仿真得到不同材料栅丝的热输出特性,选择其中的两种栅丝材料作为本文的研究对象得到其在耦合作用下的热输出并与实验数据对比,相对误差小于7%.最后基于理论模型和实验结果,建立了高温应变片热输出补偿模型,补偿修正后结果与理论值误差在9%以内,补偿效果良好